bulk concentrationとは 意味・読み方・使い方

A calibration curve is obtained showing a relation between dopant concentration of the semiconductor wafer surface and dopant concentration of an inner part (bulk part).例文帳に追加

そして、半導体ウェーハ表層部の不純物濃度と内部（バルク部）の不純物濃度との関係を示す検量線を求める。 - 特許庁

An epitaxial silicon wafer includes a bulk wafer having a first doping concentration, a first epitaxial layer formed over the bulk wafer, the first epitaxial layer having a second doping concentration which is higher than the first doping concentration, and a second epitaxial layer formed over the first epitaxial layer, the second epitaxial layer having a third doping concentration which is lower than the second doping concentration.例文帳に追加

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

The semiconductor wafer for evaluation is cleft and concentration of dopant in the semiconductor wafer bulk part is measured.例文帳に追加

また、評価用半導体ウェーハを劈開などを行い、半導体ウェーハバルク部の不純物の濃度を測定する。 - 特許庁

In accordance with the decrease of the amount of the bulk part that consumes oxygen radicals, the concentration of oxygen radicals increases slowly.例文帳に追加

そして、酸素ラジカルを消費するバルク部の量が少なくなると、酸素ラジカルの濃度が徐々に高くなり始める。 - 特許庁

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加

半導体素子７００は、主面１ｐおよび裏面１ｒを有する第１導電型の炭化珪素バルク基板１と、炭化珪素バルク基板１における裏面１ｒに形成され、炭化珪素バルク基板１よりも高い濃度で不純物を含む第１導電型の高濃度不純物エピタキシャル層３とを備える。 - 特許庁

For measuring actual dopant concentration of the semiconductor wafer, concentration of dopant in the bulk can be decided by the calibration curve if concentration of dopant on the surface of the semiconductor wafer is measured.例文帳に追加

実際の半導体ウェーハの不純物濃度を測定にあっては、半導体ウェーハの表層部の不純物の濃度を測定すれば、上記検量線によりバルク部の不純物の濃度を決定することができる。 - 特許庁

While the ashing of the bulk part is carried out, the concentration of oxygen radicals is kept low because oxygen radicals are consumed.例文帳に追加

バルク部のアッシングを行っている間は、酸素ラジカルが消費されているので、酸素ラジカル濃度は低くなった状態を保つ。 - 特許庁