bulk siliconとは 意味・読み方・使い方

An identification code pattern 30 is formed in the interface between the bulk silicon layer 23 and silicon oxide film 22.例文帳に追加

識別コードパターン３０は、バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される。 - 特許庁

To provide a method of pulling up a silicon single crystal, by which the silicon single crystal having a uniform BMD(bulk micro defect) density in the axial direction can be obtained, and to provide a silicon wafer obtained from the silicon single crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶引上方法及びシリコンウェーハにおいて、シリコン単結晶の軸方向において均一なＢＭＤ密度を得ること。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING UNIFORMLY-DOPED SILICON CARBIDE BULK SINGLE CRYSTAL, AND UNIFORMLY-DOPED SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

均一ドーピングされたＳｉＣバルク単結晶の製造方法および均一ドーピングされたＳｉＣ基板 - 特許庁

To reduce the contact resistance of an ohmic electrode provided on the rear-surface side of a silicon carbide bulk substrate, in a semiconductor element having the silicon carbide bulk substrate.例文帳に追加

炭化珪素バルク基板を備えた半導体素子において、炭化珪素バルク基板の裏面側に設けられるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

Here, the substrate silicon wafer 11 is constituted of a single-crystal silicon bulk 11a which contains a high-concentration dopant, and a single-crystal silicon surface 11b and single-crystal silicon rear face 11c, respectively having resistivity higher than that of the single-crystal silicon bulk 11a.例文帳に追加

ここで、下地シリコンウェーハ１１は、高濃度のドーパントを含有する単結晶シリコンバルク部１１ａと、該単結晶シリコンバルク部１１ａより抵抗率の高い単結晶シリコン表面部１１ｂおよび単結晶シリコン裏面部１１ｃから構成される。 - 特許庁

MERGED LOGIC CIRCUIT COMBINING THIN FILM AND BULK SILICON TRANSISTOR AND MEMORY例文帳に追加

薄膜及びバルク・シリコン・トランジスタを組み合わせる併合化論理回路及びメモリ - 特許庁

A single-crystal silicon bulk is manufactured by growing single-crystal silicon in [100]-direction by the CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法により、［１００］方向に単結晶シリコンを成長させて、単結晶シリコンのバルクを作製する。 - 特許庁

An integrated circuit includes a bulk technology integrated circuit (bulk IC) having a bulk silicon layer and complementary MOSFET (CMOS) transistors fabricated thereon.例文帳に追加

集積回路は、バルクシリコン層及びバルクシリコン層の上に製造された相補型ＭＯＳＦＥＴ（ＣＭＯＳ）トランジスタを有するバルク技術集積回路（バルクＩＣ）を備えている。 - 特許庁