c v Cとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 コーポレートVCとは、投資事業を主体としない会社によるベンチャー企業への投資、そよび、そのような投資を行う事業会社のことである。、コーポレートVC
「c v C」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 686件
(where [C] and [V] denote the containing % of C and V, f>100, and f=100).例文帳に追加
ｆ＝１００−１２５[C] ＋２２．５[V] ……(1) 但し、[C] ，[V] はＣ，Ｖの含有％であり、ｆ＞１００でｆ＝１００である。 - 特許庁
[1] Ni/Mn≥10×Ceq-3, wherein Ceq=C+Mn/6+(Cr+Mo+V)/5+(Ni+Cu)/15.例文帳に追加
Ni／Mn≧10×Ceq−3 ・・［１］ 但し、Ceq＝C＋Mn／6＋(Cr＋Mo＋V)／5＋(Ni＋Cu)／15 - 特許庁
Copy the file (Ctrl-C; -C on Mac), then in the IDE, select the Web Pages node in the Projects window and press Ctrl-V; -V on Mac).例文帳に追加
ファイルをコピーし (Ctrl-C、Mac の場合は □-C)、IDE の「プロジェクト」ウィンドウで「Web ページ」ノードを選択して、Ctrl-V キー (Mac の場合は □-V) を押します。 - NetBeans
Zr, Hf, (b) group includes V, Nb, Ta, and (c) group includes Si.例文帳に追加
ａ群：Ti、Zr、Hf、ｂ群：V、Nb、Ta、ｃ群：Si - 特許庁
Or a/c is ≥1 [V/μm] and (b-d)/c is ≥-0.3 [-V/μm] and ≤0.3 [-V/μm].例文帳に追加
あるいはａ／ｃが１[ V/μm]以上であり、（ｂ−ｄ）／ｃは−０．３[-V/μm]以上０．３[-V/μm]以下である。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「c v C」の意味 |
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cv-c
| fly | 遺伝子名 | cv-c |
| 同義語（エイリアス） | crossveinless c | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:47092 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0000397 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「c v C」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 686件
Pm=C+Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10.例文帳に追加
Ｐｍ＝Ｃ＋Ｓｉ／３０＋Ｍｎ／２０＋Ｃｕ／２０＋Ｎｉ／６０＋Ｃｒ／２０＋Ｍｏ／１５＋Ｖ／１０ - 特許庁
For a peripheral pixel 303 horizontally located immediately after the target pixel 302, the calculation part calculates a driving signal Out(C+1)=In(C+1)-(V-In(C))/2.例文帳に追加
対象画素３０２の水平方向の直後側に隣接する周辺画素３０３については、算出部は、その駆動信号をOut(C+1)=In(C+1)-(V-In(C))/2として算出する。 - 特許庁
For a peripheral pixel 301 horizontally located immediately before the target pixel 302, the calculation part calculates a driving signal Out(C-1)=In(C-1)-(V-In(C))/2.例文帳に追加
対象画素３０２の水平方向の直前側に隣接する周辺画素３０１については、算出部は、その駆動信号をOut(C-1)=In(C-1)-(V-In(C))/2として算出する。 - 特許庁
Carbon equivalent=C+0.15Si+0.03(Cr+Mo)+0.04(Mn+V+Co)+0.05(Ni+W)+0.13Nb.例文帳に追加
炭素当量＝Ｃ＋０．１５Ｓｉ＋０．０３（Ｃｒ＋Ｍｏ）＋０．０４（Ｍｎ＋Ｖ＋Ｃｏ）＋０．０５（Ｎｉ＋Ｗ）＋０．１３Ｎｂ - 特許庁
Based on the initial C-V characteristics, the final C-V characteristics, and the measured amount of electric charges, a charge center position in the insulating film is evaluated.例文帳に追加
そして、前記初期C-V特性、前記終期C-V特性及び測定した前記電荷の量から前記電荷の前記絶縁膜中における前記荷電中心位置を評価する。 - 特許庁
C-V MEASURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
半導体基板のＣ−Ｖ測定方法 - 特許庁
Display the version and compilation date.発音を聞く 例文帳に追加
"C-a v (version)"バージョンとコンパイルされた日時を表示する。 - JM
I'd like to ask a grammarian, isn't it possible to think of 'be + participle' like you do V C and such?発音を聞く 例文帳に追加
文法屋に聞きたいんですが、「be+分詞」はV Cなどのように考えることはできないんですか？ - Tanaka Corpus
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