clean Si surfaceとは 意味・読み方・使い方

More specifically, the surface structure of the Si layer 2 becomes a 3×3 structure, but this 3×3 structure is removed and the clean surface of the SiC substrate 1 can be provided.例文帳に追加

具体的には、Ｓｉ層２の表面構造が３×３構造となるが、この３×３構造が除去され、ＳｉＣ基板１の清浄表面を得ることができる。 - 特許庁

In the heat treatment, the Si layer 3 has been covered to avoid scattering B therefrom, and since the Si substrate surface is clean enough to avoid growth of a parasitic barrier, and accelerating of the transistor operations can be attained.例文帳に追加

熱処理の時にはボロンドーピング・多結晶シリコン層３は被覆され、そこからボロンが飛散せず、シリコン基板面が清浄ので、そこの所に寄生障壁が発生することはなく、トランジスタの高速動作化を達成することができる。 - 特許庁

Thus, since impurities adhered to the surface Si, C of the surface of the substrate can be simultaneously removed for several atom layers by exposing the surface of an SiC substrate with a high temperature and low oxygen partial pressure, a defect is made very small at the oxide film formation time, and the clean surface can be exposed.例文帳に追加

ＳｉＣ基板表面を高温かつ低酸素分圧下に晒すことにより、表面に付着した不純物と基板表面のＳｉ、Ｃを数原子層分除去することが同時にできるので、酸化膜形成時には欠陥が少なく極めて清浄な表面を露出させることができる。 - 特許庁

Thus, since the oxygen gas are supplied under high temperature and reduced pressure after filming the Si layer 2, the Si layer 2 can be removed from the SiC substrate 1, and the clean surface of the SiC substrate 1, which is not polluted by C or the like in the atmosphere, can be provided.例文帳に追加

このように、Ｓｉ層２を成膜したのち、高温、減圧下において酸素ガスを供給することで、ＳｉＣ基板１からＳｉ層２を除去することができ、大気中のＣ等で汚染されていないＳｉＣ基板１の清浄表面を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the spin injection source device performs a step for forming a CaF_2 film 2 by epitaxial growth while the clean surface of the Si substrate 1 is being heated, and a step for forming an Fe_3Si film 5 by a molecular beam epitaxy method for simultaneously applying Si 3 and Fe 4 onto the CaF_2 film 2 at 400°C.例文帳に追加

スピン注入源デバイスの製造方法において、Ｓｉ基板１の清浄表面を加熱した状態で、ＣａＦ_2 膜２をエピタキシャル成長により形成する工程と、次に、前記ＣａＦ_2 膜２上に４００℃でＳｉ３とＦｅ４を同時に照射する分子線エピタキシー法によりＦｅ_3 Ｓｉ膜５を形成する工程とを施す。 - 特許庁