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coupled quantumとは 意味・読み方・使い方
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「coupled quantum」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
COUPLED SUPERCONDUCTIVE CHARGE QUANTUM BIT ELEMENT AND CONTROL IGNORE GATE USING SAME例文帳に追加
結合超伝導電荷量子ビット素子、それを用いた制御否定ゲート - 特許庁
To provide a quantum operation circuit which has quantum bit elements being easily coupled each other by a large coupling force.例文帳に追加
量子ビット素子間を大きな結合力により簡易に結合し得る量子演算回路を提供すること。 - 特許庁
To provide the ranges of composition x and thickness of two well layers of a coupled quantum well and the ranges of composition y and thickness of a coupled layer in a coupled quantum well structure.例文帳に追加
本発明は、結合量子井戸構造において、結合量子井戸の二つの井戸層の組成x及び厚さの範囲、結合層の組成y及び厚さの範囲を提供することを課題とする。 - 特許庁
The quantum box electrode of a control quantum bit element is coupled with that of the target quantum bit element via a box electrode coupling capacity (300).例文帳に追加
制御量子ビット素子の量子箱電極と標的量子ビット素子の量子箱電極とは、箱電極結合容量(300)を介して結合されている。 - 特許庁
To provide a method for achieving a control ignore gate required for quantum calculation in a coupled superconductive charge quantum bit system.例文帳に追加
量子計算に必要な制御否定ゲートを結合超伝導電荷量子ビット系において実現する方法を提供する。 - 特許庁
Superconducting quantum bits are coupled with a superconducting resonator for optically receiving microwaves and a superconducting resonator for reading quantum bits.例文帳に追加
超伝導量子ビットをマイクロ波受光用の超伝導共振器および量子ビット読み出し用の超伝導共振器と結合する。 - 特許庁
Each of a control quantum circuit (100) and a target quantum bit circuit (200) comprises quantum box electrodes (101, 201) composed of a superconductor, counter electrodes (102, 202) coupled by sandwiching the quantum box electrodes and tunnel barriers (104, 204), and gate electrodes (103, 203) coupled via the quantum box electrodes and gate capacities (105, 205).例文帳に追加
制御量子ビット回路(100)及び標的量子ビット回路(200)の各々は、超伝導体で構成された量子箱電極(101,201)と、この量子箱電極とトンネルバリア(104,204)を挟んで結合された対向電極(102,202)と、量子箱電極とゲート容量(105,205)を介して結合したゲート電極(103,203)とから構成されている。 - 特許庁
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「coupled quantum」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
This quantum dot laser includes at least one quantum dot layer consisting of a quantum dot group optically coupled to the optical waveguide with at least two nonuniformly expanding optical transition energy sequences, and at least one quantum well for actualizing the carrier confinement of a current injected into the quantum dot layer.例文帳に追加
少なくとも2つの不均一に広がった光学遷移エネルギのシーケンスをもって、光導波路に対して光学的に結合された量子ドットの集団、からなる少なくとも1つの量子ドット層と、前記量子ドット層に対する注入電流のキャリア閉じ込めを実現する少なくとも1つの量子井戸とを具備する。 - 特許庁
To provide a coupled quantum well Mach-Zehnder modulator which reduces a modulation voltage by using push-pull structure.例文帳に追加
プッシュプル構成を用いて変調電圧を低減する結合量子井戸マッハ・ツェンダー変調器を提供する。 - 特許庁
A plurality of coupling dots 4a constituted by having a plurality of quantum dots coupled are disposed in the diffraction portion 4.例文帳に追加
回折部4には、複数の量子ドットが結合して構成された複数の結合ドット4aが設けられている。 - 特許庁
IN-PHASE RF DRIVE OF MACH-ZEHNDER MODULATOR PUSH-PULL ELECTRODE BY USING COUPLED QUANTUM WELL OPTICAL ACTIVE REGION例文帳に追加
結合量子井戸光学アクティブ領域を用いることによるマッハ・ツェンダー変調器プッシュプル電極の同相RF駆動 - 特許庁
The quantum operation circuit adjusts a coupling force between a pair of superconducting charge quantum bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102) by electrically controlling a two-dimensional electron gas layer electrostatically coupled to the pair of bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102).例文帳に追加
この量子演算回路では、一対の超伝導電荷量子ビット素子(超伝導量子箱電極101、102)に対して静電的に結合された2次元電子ガス層を電気的に制御することによって、超伝導電荷量子ビット素子(超伝導量子箱電極101、102)間の結合の強さを制御する。 - 特許庁
Quantum dots 11 on the upper layer have a tunnel coupling shape showing a nonlinear current-voltage characteristic with the adjoining quantum dots, and receive inputs of initial data/bias currents 3, and are coupled with the lower layer quantum dots 12 to have a gate function having a time constant.例文帳に追加
上の層の量子ドット11は隣接する量子ドットと非線形の電流−電圧特性を示すトンネル結合で、初期データ/バイアス電流3の入力を受け、下の層の量子ドット12とは時定数を持ったゲート機能を持つ結合をしている。 - 特許庁
Nonlinearly coupled oscillator array is formed by laminating, for example, in two layers, a layer where a lot of quantum dots, which will be oscillators, are arranged two-dimensionally.例文帳に追加
振動子となる量子ドットが二次元的に多数配列された層を例えば2層積層して非線形結合振動子アレイを形成する。 - 特許庁
An intrinsic layer of a PIN device includes a coupled quantum well structure for generating reverse refractive index change for a different DC bias voltage.例文帳に追加
PINデバイスの真性層は、異なるDCバイアス電圧に対して逆の屈折率変化を与えるための結合量子井戸構造を含む。 - 特許庁
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