crack probingとは 意味・読み方・使い方

The first ultrasonic probe for transmitting a traverse ultrasonic wave and receiving a traverse reflection wave from a crack and a second ultrasonic probe exclusively for receiving a longitudinal reflection wave being subjected to mode conversion by the crack are provided as the concurrent use system of the 1- and 2-probing methods.例文帳に追加

横波超音波を発信し且つ亀裂からの横波反射波を受信する第１超音波探触子と、亀裂でモード変換した縦波反射波を受信する受信専用の第２超音波探触子とを備えて、１探法と２探法の併用方式とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing a crack from occurring on an insulating film at a lower layer of a pad electrode by a stress given to the pad electrode in the case of bonding in a semiconductor process, or in the case of probing at the time of inspection.例文帳に追加

半導体プロセスにおけるボンディング又は検査時のプロービングの際に、パッド電極にかかる応力によって、パッド電極の下層の絶縁膜にクラックが発生することを防止する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device for which an element is protected from stress generated by a bonding process and a probing process without generating a crack on an insulating film on the lower side of a bonding pad.例文帳に追加

ボンディングプロセス及びプロービングプロセスにより発生した応力から素子を保護し且つボンディングパッドの下側の絶縁膜にクラックが発生することのない、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which moisture entering from a crack generated in a probing region is blocked by a seal ring, thereby allowing wiring and transistors to be arranged below a bonding region which is provided further inside the semiconductor device than the seal ring.例文帳に追加

半導体装置において、プロービング領域にて発生したクラック部から侵入した水分をシールリングでブロックし、シールリングより半導体装置の内側に配置されているボンディング領域の下に配線やトランジスタを配置できるようにする。 - 特許庁