critical angle methodとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR DETERMINING SHADOWLINE LOCATION ON PHOTOSENSITIVE ARRAY AND CRITICAL ANGLE REFRACTOMETER EMPLOYING THE SAME例文帳に追加

光電性アレイにおけるシャドーラインの位置を決定するための方法および同方法を用いる臨界角屈折計 - 特許庁

To provide a hologram duplicating method from a hologram original plate which needs to be illuminated with an incident angle larger than the critical angle of a hologram medium or a medium to support it.例文帳に追加

ホログラム媒質あるいはそれを支持する媒質の臨界角より大きな入射角で照明する必要があるホログラム原版からのホログラム複製法。 - 特許庁

To provide a method for measuring, by non-contact manner, the optical characteristics of a hologram which requires lighting at an incident angle larger than the critical angle of a hologram medium or the medium supporting it.例文帳に追加

ホログラム媒質あるいはそれを支持する媒質の臨界角より大きな入射角で照明する必要があるホログラムの光学特性を非接触で測定する方法。 - 特許庁

To solve problems that related to a manufacturing method for a ramp-edge oxide superconducting Josephson junction excellent in evenness and the like of a critical current which is studied all over the world, precise control, of the angle is difficult and integrating of junctions in an arbitrary direction is difficult because the azimuth for an edge machining surface is limited.例文帳に追加

臨界電流の均一性などに優れたランプエッジ型酸化物超伝導ジョセフソン接合の作製方法が国内外で盛んに研究されているが、いずれも厳密に角度を制御することは困難であり、集積回路を作製できるレベルにはほど遠い状況にある。 - 特許庁

This optimization method records control variables such as a control dose and a focal point, in each of processes in a double patterning lithographic process, and measures characteristics of intermediate features such as a critical dimension and a sidewall angle in a double patterning process.例文帳に追加

ダブルパターニングリソグラフィプロセスにおける工程のそれぞれにおける制御線量、焦点等の制御変数が、記録され、ダブルパターニングプロセスにおける、クリティカルディメンション、側壁部角度等の中間フィーチャの特性が、測定される。 - 特許庁