crystal growing systemとは 意味・読み方・使い方

GROUP III NITRIDE CRYSTAL, METHOD AND APPARATUS FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM EQUIPPED WITH IT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法および結晶成長装置および半導体デバイスおよびシステム - 特許庁

The method for producing the compound semiconductor single crystal comprises growing an Al_xGa_yIn_1-(x+y)N (0≤x≤1; 0≤y≤1; x+y≤1) single crystal of a hexagonal system, where the growing direction of the single crystal is changed at least in two steps of the thickness direction and the lateral direction.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法は、六方晶系のＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）単結晶の育成過程において、その単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の２段階に変更されることを特徴とする。 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL FROM GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LASER, AND APPLIED SYSTEM例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、半導体レーザ素子及び応用システム - 特許庁

The crystal-growing furnace system includes the isolated chamber, the furnace upper body, and the controller room, wherein the isolated chamber and the controller room are arranged and isolated from each other.例文帳に追加

結晶成長炉システムは、隔離室、炉上側本体、及び制御室を含み、隔離室と制御室は互いに隔離して並べられる。 - 特許庁

The silicon crystal forming apparatus controls the growing direction of polycrystalline crystal grains by a system of cooling the bottom part of a crucible, and forms twin boundaries at the crystal grains.例文帳に追加

シリコン結晶体成形装置は、坩堝底部を冷やす方式で多結晶結晶粒の成長方向をコントロールし、該結晶粒に双晶境界を成形する。 - 特許庁

To provide a method for growing a single-crystal oxychalcogenide system thin film, capable of making grown a proper quality single-crystal oxychalcogenide system thin film having a precipitous interface between thin films.例文帳に追加

薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal for efficiently discharging a gaseous material or particles having a high melting point present in a melt during growing a crystal to the outside of the system and for obtaining a grown crystal with high purity and no bubble or the like, and to provide a crystal manufacturing apparatus for the method.例文帳に追加

結晶成長の際に融液内に存在するガス体や高融点のパーティクルを効率的に系外に排出し、成長した結晶が高純度であり、気泡等を含まない結晶成長方法およびそのための結晶製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁