dangling-bondとは 意味・読み方・使い方

The SiO_2 film formed by the normal-pressure CVD method is an SiO_2 film of high quality in which generation of an Si-H bond and a dangling bond is suppressed.例文帳に追加

常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ_2膜は、Ｓｉ−Ｈ結合や未結合手の発生が抑制された高品質のＳｉＯ_2膜である。 - 特許庁

A dangling bond termination film consisting of a lithium thin film or beryllium thin film is formed on the cleavage face of the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの劈開面上にリチウム薄膜又はベリリウム薄膜からなるダングリングボンド終端膜が形成される。 - 特許庁

Dangling bond produced by irradiation of ultraviolet rays etc. is terminated with hydrogen and deterioration of photosensitivity can be reduced with such structure.例文帳に追加

この構成によって、紫外線等の照射によって生じたダングリングボンドを水素で終端して、受光感度の低下を低減することができる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate having a surface which is higher than 14.0 nm^-2 in dangling bond density, and is flat.例文帳に追加

ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To enhance the lifetime effectively by reducing dangling bond effectively through heat treatment control different from conventional one.例文帳に追加

従来と異なる熱処理制御により、ダングリングボンドを有効に低減して、ライフタイムを効果的に向上させる。 - 特許庁

The silicon insulation film has a silicon dangling bond, terminated by the termination with fluorine atom and termination with a hydroxy group.例文帳に追加

シリコンダングリングボンドが、フッ素原子による終端と水酸基による終端とによって終端されたシリコン絶縁膜。 - 特許庁

Dangling bond close to the surface of the nitride semiconductor layer 15 is terminated with hydrogen, so that the inter-electrode leakage caused by a surface defect is suppressed.例文帳に追加

窒化物半導体層１５の表面近傍のダングリングボンドを水素で終端し、表面欠陥に起因する電極間リークを抑制する。 - 特許庁

To remarkably relax restrictions on applicable device structures and processes to carry out termination treatment to a dangling bond by hydrogen plasma.例文帳に追加

水素プラズマによるダングリングボンドの終端処理を行うために、適用できるデバイス構造および工程上の制限を大幅に縮小する。 - 特許庁