dangling bondsとは 意味・読み方・使い方

In addition, since the dangling bonds of silicon in the interfaces of the substrate 11 are terminated by the heat-resistive cyano-ions, a cover film requiring heat treatment at a special high temperature can be formed after the dangling bonds are terminated by the cyano-ions.例文帳に追加

また、半導体基板１１の界面のシリコンのダングリングボンドが熱に対して強いシアノイオンで終端化されているので、このシアノイオンで終端化した後、特に高温の加熱処理が必要なカバー膜を形成することができる。 - 特許庁

Hydrogen is diffused through a plasma silicon nitride film 16 and introduced to the channel 4 to terminate dangling bonds.例文帳に追加

ダングリングボンドを終結させるため、プラズマシリコン窒化膜１６より水素を拡散してチャネル部４に水素を導入する。 - 特許庁

Consequently, the Si dangling bonds present in the film become less, so the generation of a leak current due to the present of the Si dangling bonds in the film is suppressed, so that the carbon and hydrocarbon added silicon oxide film can be obtained which has a low specific inductive capacity.例文帳に追加

このため膜中に存在するＳｉダングリングボンドが少なくなるので、膜中のＳｉダングリングボンドの存在が原因となるリーク電流の発生が抑えられ、これにより比誘電率が低い炭素、水素添加シリコン酸化膜を得ることができる。 - 特許庁

Oxygen atoms with dangling bonds contained in the gate insulating film are activated through a water vapor annealing process to promote their normal bonding, oxygen originating from water vapor is introduced into an area of the gate insulating film where dangling bonds are present to promote normal bonding, and hydrogen originating from water vapor is introduced into the area of the gate insulating film where dangling bonds are present to promote a bonding termination.例文帳に追加

水蒸気アニール処理により、ゲート絶縁膜中の未結合手を有する酸素原子を活性化して正常結合を促進し、結合欠陥を有する部分に水蒸気を起因とする酸素を導入して正常な結合を促進し、ゲート絶縁膜中のダングリングボンドを有する部分に水蒸気を起因とする水素を導入して結合終端を促進する。 - 特許庁

Hydrogenation is performed for the semiconductor substrate (200), and this terminates dangling bonds in the semiconductor substrate (200).例文帳に追加

そして、この後に、前記半導体層に対する水素化処理を実施して、該半導体層内におけるダングリングボンドを終端する。 - 特許庁

An opening is bored in the silicon nitride film 6 to terminate dangling bonds, by which semiconductor device can be improved in characteristics.例文帳に追加

シリコン窒化膜６を開口することにより、ダングリングボンドを終結させて、半導体装置の特性を向上させることができる。 - 特許庁

At the boundary between the first oxide semiconductor film and the second oxide semiconductor film, the dangling bonds of the both are coupled with each other.例文帳に追加

また、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜の界面は、お互いの未結合手が結合し合っている。 - 特許庁

Dangling bonds reside in the source/drain region 3 and the channel 4 formed of thin film polycrystalline silicon to deteriorate the transistor in characteristics.例文帳に追加

薄膜多結晶シリコンで形成されたソース・ドレイン領域３及びチャネル部４にはダングリングボンドがあり、トランジスタの特性が劣化する。 - 特許庁