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ddqとは 意味・読み方・使い方
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ddq
davits
katydids
a defect
a fault
whelks
a dot written beside a Japanese character in order to modify the pronunciation
the batting order
ホークビット
トートグ
tautogs
a follower
a rope
「ddq」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
A static power current IDDQ is measured at a plurality of strobe points with application of a test signal to a CMOS integrated circuit 50 under test.例文帳に追加
試験対象のＣＭＯＳ集積回路５０にテスト信号を印加して静止電源電流Ｉ_DDQ を複数のストローブ点で測定する。 - 特許庁
To provide a reference voltage generation system provided with a reference voltage generating circuit for generating reference voltage from power voltage for output buffer.例文帳に追加
出力バッファ用電源電圧Ｖ_DDQから基準電圧を生成する基準電圧発生回路を備える基準電圧生成システムを提供する。 - 特許庁
A chip 1 is provided with a power source terminal TDD used for both power supply in normal use and power supply in IDDq testing.例文帳に追加
チップ１は、通常使用時の電力供給とＩ_DDq テスト時の電力供給とに共用される電源端子Ｔ_DDを備えている。 - 特許庁
To enable accurate failure determination by measuring I_DDQ of a static state even when being a small value without receiving influence of noise or the like.例文帳に追加
ノイズ等の影響を受けずに小さい値であっても静止状態のＩ_ＤＤＱを測定することができ、正確な故障判定を可能にする。 - 特許庁
The carrier board 2 is a multilayer wiring board composed of three laminated wiring boards 2a to 2c on which four layers of wiring are formed, a power supply plane PVDD which supplies a power supply voltage VDD and a power supply plane PVDDQ which supplies a power supply voltage VDDQ are formed on a wiring layer between the wiring boards 2a and 2b.例文帳に追加
キャリア基板２は、３層の配線基板２ａ〜２ｃが積層され、４層の配線層が形成された多層配線基板からなり、配線基板２ａ，２ｂ間の配線層には、電源電圧Ｖ_DDを供給する電源プレーンＰＶ_DD、および電源電圧Ｖ_DDQ を供給する電源プレーンＰＶ_DDQ が形成される。 - 特許庁
About nondefective CMOS integrated circuits 50, fault current estimates PDj=IQj-Rj×Iq corresponding to the strobe points are calculated, based on the mean value ratio Rj of previously calculated static power currents IDDQ at the strobe points, measured values IQj of the static power currents at the strobe points, and the mean value Iq of the measured values IQj.例文帳に追加
良品のＣＭＯＳ集積回路５０について予め算出された前記複数のストローブ点での静止電源電流Ｉ_DDQ の平均値比Ｒ_j と、前記複数のストローブ点での静止電源電流Ｉ_DDQ の測定値Ｉ_Qjと、測定値Ｉ_Qjの平均値Ｉq とに基づき、ストローブ点に対応する欠陥電流推定値Ｐ_Dj＝Ｉ_Qj−Ｒ_j ×Ｉq を算出する。 - 特許庁
The method for producing the oligomer of phenols comprises oligomerizing phenol or its derivative in which the o-positions with respect to the phenolic hydroxy group are hydrogen atoms, in the presence of dichlorodicyanobenzoquinone (DDQ).例文帳に追加
本発明は、ジクロロジシアノベンゾキノン（ＤＤＱ）の存在下で、フェノール性水酸基のオルト位が水素原子であるフェノール類をオリゴマー化させて、当該フェノール類のオリゴマーを製造する方法に関する。 - 特許庁
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「ddq」を含む例文一覧
該当件数 : 13件
A bypass capacitor 5 is connected between the power supply planes PVDD and PVDDQ, by which a power supply can be lessened in impedance and improved in noise resistance by the capacitor 5.例文帳に追加
バイパスコンデンサ５は、電源プレーンＰＶ_DDと電源プレーンＰＶ_DDQ との間に接続されており、このバイパスコンデンサ５によって電源インピーダンスを小さくでき、耐ノイズ性を向上することができる。 - 特許庁
A pentacene derivative (14) is synthesized by dehydrating an unsaturated aliphatic ring of a dihydropentacene derivative (13) with quinones such as DDQ (2,3-dichloro-5,6-diisocyano-1,4-quinone) and chloranil and converting it into an aromatic ring.例文帳に追加
ジヒドロペンタセン誘導体（１３）の不飽和脂肪族環をＤＤＱやクロラニルなどのキノン類で脱水素して芳香族環に変換し、ペンタセン誘導体（１４）を合成する。 - 特許庁
A noise removing capacitor 5 is mounted on the carrier board 2 of a BGA semiconductor device on which two different power supply voltages VDD and VDDQ are supplied.例文帳に追加
２つの異なる電源電圧Ｖ_DD，Ｖ_DDQ が供給されるＢＧＡ形の半導体装置１のキャリア基板には、ノイズ除去用のバイパスコンデンサ５が実装されている。 - 特許庁
To provide a method requiring no highly sensitive detection circuit and no expensive device in particular, in a method for measuring a current when an integrated circuit having high element density is inspected.例文帳に追加
素子密度の高い集積回路の検査に当っての電流Ｉ_DDQ の測定方法であって、特に感度の良い検出回路や高価な装置を必要としない方法を提供する。 - 特許庁
Here the equivalent resistance value of current-voltage converter 11 is set so small a value so that the voltage drop in the case of flowing a maximum stationary power source current IDDq does not exceed an allowable voltage lowering width of the CMOS integrated circuit 2 and the power source current IDD converges sufficiently quicker than normal operation period.例文帳に追加
ここで、電流−電圧変換部１１の等価抵抗値は、最大の静止時電源電流Ｉ_DDq が流れた場合でも、その電圧降下が、ＣＭＯＳ集積回路２が許容する電圧低下幅を越えず、かつ、通常の動作周期よりも十分速く電源電流Ｉ_DDが収束するように、小さな値に設定されている。 - 特許庁
If any fault current estimate PDj greater than the absolute value |E| of an allowable error E in the measured values of the static power currents IDDQ or any fault current estimate PDj smaller than -|E| exists among the calculated fault current estimates PDj, the CMOS integrated circuit 50 under test is judged to be defective.例文帳に追加
算出された欠陥電流推定値Ｐ_Djの中に、静止電源電流Ｉ_DDQ の測定値の許容誤差Ｅの絶対値｜Ｅ｜よりも大きい欠陥電流推定値Ｐ_Djがある場合、または−｜Ｅ｜よりも小さい欠陥電流推定値Ｐ_Djがある場合に、試験対象のＣＭＯＳ集積回路５０を不良品として判定する。 - 特許庁
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