dense plasmaとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Y_2O_3 sintered compact which is suitable for a plasma-resistant member such as an etcher for semiconductor production, excellent in plasma resistance and is dense, and has high lightness.例文帳に追加

半導体製造用エッチャーなどの耐プラズマ部材に適し、耐プラズマ性に優れ、緻密で高い明度を有するＹ_２Ｏ_３焼結体を提供する。 - 特許庁

To obtain a partition wall forming material containing no lead with which dense barrier ribs of a plasma display panel or the like can be formed.例文帳に追加

鉛を含有せず、かつ緻密なプラズマディスプレイパネル等の隔壁を形成できる隔壁形成材料を得る。 - 特許庁

To provide a microwave feeder to minimize a power loss, to avoid erosion of a dielectric window, and to form highly dense and uniform plasma, and also to provide a plasma processing apparatus using it, and a plasma processing method.例文帳に追加

パワー損失を最小化し、誘電体ウィンドウの侵蝕を避け、高密度で均一なプラズマを形成するマイクロウェーブ供給装置、それを用いたプラズマ工程装置及びプラズマ工程方法の提供。 - 特許庁

PLASMA GENERATING EQUIPMENT, DENSE AND HARD THIN FILM FORMING EQUIPMENT USING THE SAME, AND HARD THIN FILM FORMING METHOD例文帳に追加

プラズマ発生装置並びにこの装置を利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び硬質薄膜の形成方法 - 特許庁

To provide a plasma CVD film deposition method and a plasma CVD apparatus capable of suppressing damages of a substrate attributable to the heat and reactive gas ions in the capacitively coupled plasma CVD, and depositing a dense film of excellent quality with the high coatability.例文帳に追加

容量結合型のプラズマＣＶＤにおいて、熱および反応ガスイオンに起因する基板の損傷を抑制することができ、かつ、緻密で膜質の良好な膜を、高い被覆性で成膜することを可能にする。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which controls line width variations among sparse and dense wiring portions formed in an etching object layer.例文帳に追加

エッチング対象層に形成される疎密配線部間の線幅ばらつきを小さく抑えることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The plasma-proof fluoride sintered compact comprises a CaF_2-MgF_2 sintered compact containing MgF_2 of 1 to 5 wt.% and has a dense structure having bulk density of the sintered compact of 3.00 g/cm^3 or more.例文帳に追加

MgF_2を１〜５wt.％含有するCaF_2−MgF_2焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm^3以上の緻密な構造を有している。 - 特許庁