dielectric targetとは 意味・読み方・使い方

DIELECTRIC PROTECTIVE FILM FOR ZnS-SiO2 BASED OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE DIELECTRIC PROTECTIVE FILM例文帳に追加

ＺｎＳ−ＳｉＯ２系光情報記録媒体用誘電保護膜及び該誘電保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a ZnS based dielectric target for sputtering having low target resistance, and to provide a film deposition method and a producing device for forming a dielectric film for an amorphous phase change optical disk using the target.例文帳に追加

ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。 - 特許庁

To provide a ZnS series dielectric target for spattering having a low target resistance, and a film forming method and manufacturing equipment for forming a dielectric film for an amorphous phase change optical disk by using the target.例文帳に追加

ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。 - 特許庁

A surface area (a) is found when the surface area dependency of each Weipull slope causes the Weipull slope of the dielectric breakdown life-time of the measurement target specimen, to become the Weipull slope of the dielectric breakdown life-time until the first dielectric breakdown in the evaluation target specimen.例文帳に追加

各ワイブルスロープの面積依存性より、被測定試料における絶縁破壊寿命のワイブルスロープが、評価対象試料における最初の絶縁破壊までの絶縁破壊寿命のワイブルスロープとなる面積ａを求める。 - 特許庁

The nitride-based dielectric layers (a first dielectric layer 12 and a fourth dielectric layer 16) are formed under the condition satisfying β/θ≥1.5 where the erosion length of a target is defined as α (unit: mm) and the sputter power as β (unit: W).例文帳に追加

ターゲットのエロージョン長さをα（ｍｍ）、スパッタパワーをβ（Ｗ）とした時、β／α≧１．５を満たす条件下で窒化物を主成分とする誘電体層を成膜する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING HIGH DIELECTRIC FILM FREE FROM GENERATION OF CRACKING EVEN IN THE CASE OF HIGH SPEED FILM FORMATION例文帳に追加

高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

In the target consisting essentially of a Zn based dielectric material, 5 to 30 mol% ZnO which is formed by compounding 0 to 5 mol% Al_2O_3 in the ZnS based dielectric material is dispersed.例文帳に追加

ＺｎＳ系誘電体材料に対して、０〜５ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３を配合したＺｎＯが５〜３０ｍｏｌ％分散されたターゲット。 - 特許庁

PRODUCTION OF SPUTTERING TARGET FOR DIELECTRIC THIN FILM DEPOSITION SMALL IN GENERATION OF PARTICLE AND HAVING HIGH STRENGTH例文帳に追加

パーティクルの発生が少なくかつ高強度な誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁