drain junctionとは 意味・読み方・使い方

To maintain a shallow source/drain junction position, and at the same time to reduce junction leak in MOSFET structure where a silicide layer is formed on the source/drain.例文帳に追加

ソース・ドレイン上にシリサイド層を形成したＭＯＳＦＥＴ構造で、浅いソース・ドレイン接合位置を保ちつつ、且つ接合リークを低く抑える。 - 特許庁

The Schottky source/drain 12 forms Schottky junction with a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキーソース・ドレイン１２は、半導体基板１とショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To suppress a leakage current between: a PN junction of source/drain regions; and a contact.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のＰＮ接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To attain the shallow junction and low resistance of a source and a drain.例文帳に追加

ソース、ドレインの浅接合化と低抵抗化を実現することができるようにする。 - 特許庁

To prevent a water flow test body from getting into a junction pipe or a branch pipe in the midway of a drain pipe, during a drain pipe water flow test.例文帳に追加

排水通水試験で試験体が排水管の途中の合流管又は分岐管に入らないようにする。 - 特許庁

To provide a horizontal MOSFET which has the large breakdown voltage at the drain-source junction and is reduced in drain-source coupling capacitance.例文帳に追加

ドレイン−ソース間耐圧が大きく、ドレイン−ソース間容量が低減された横型ＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To provide a transistor structure capable of withstanding short-circuit effects, having small parasitic capacitance in the vicinity of the source-drain, and having a small leak current and a small junction capacitance at the source-drain junction.例文帳に追加

短チャネル効果に強く、ソースドレイン近傍の寄生抵抗が低く、ソースドレイン接合のリーク電流及び接合容量が小さいトランジスタ構造の提供。 - 特許庁

The first source/drain region 126 has a junction depth which is specified by phosphorus and is larger than the junction depth of the second source/drain region 146.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域１２６において、リンによりジャンクション深さが規定され、当該ジャンクション深さが第２のソースドレイン領域１４６のジャンクション深さよりも深い。 - 特許庁