dry film photo resistとは 意味・読み方・使い方

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTO-SOLDER RESIST INK, PRINTED WIRING BOARD, FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD AND DRY FILM例文帳に追加

感光性樹脂組成物、フォトソルダーレジストインク、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板及びドライフィルム - 特許庁

To provide a photo cationic curable dry film resist which is developable with an aqueous alkali solution, assumes the shape of a solventless dry film resist, forms a resin layer excellent in developability, photosensitivity and surface curability and gives a cured body excellent in bending and breaking resistances, solvent, acid and heat resistances, etc., and a cured body of the dry film resist.例文帳に追加

無溶剤型のドライフィルムレジスト形態を取れ、その樹脂層は現像性、感光性、表面硬化性に優れ、その硬化物は、耐屈曲性、耐折性、耐溶剤性、耐酸性、耐熱性等に優れた、アルカリ水溶液現像性光カチオン硬化型ドライフィルムレジスト及びその硬化物を提供すること。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, with a photo resist film 25c as a mask; a multilayer insulation film 24c consisting of a stopper insulation film 21c, the low dielectric constant insulation film 22c, and a cap insulation film 23c is dry etched including the stopper insulation film 21c to form a wiring groove 32 in the multilayer insulation film 24c.例文帳に追加

まず、フォトレジスト膜２５ｃをマスクとしてストッパ絶縁膜２１ｃ／低誘電率絶縁膜２２ｃ／キャップ絶縁膜２３ｃからなる積層絶縁膜２４ｃ中のストッパ絶縁膜２１ｃを含めた状態までドライエッチングすることによって、積層絶縁膜２４ｃに配線溝３２を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that performs anisotropic dry-etching on an insulating film allowing for high selectivity with a photo-resist film and without causing an etching stop, the anisotropic dry-etching done when forming an upper contact with a large radius and a lower contact with a small radius.例文帳に追加

上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method is such that a capacitor lower electrode layer 113, a ferroelectric film 114 and a capacitor upper electrode layer 115 are formed in this order, and a dry etching using a photo resist 116 and a patterning follow.例文帳に追加

容量下部電極層１１３、強誘電体膜１１４、および容量上部電極層１１５をこの順で成膜した後、フォトレジスト１１６を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁

To provide a laminated film suitable for a dry film photo resist (DFR) or so called a coverless DFR which satisfies the transparency capable of being used for a high resolution DFR, UV transmission property and handling property (slippage), eliminates a process for providing a protective film on a photo resist layer and contributes to the reduction of an industrial waste.例文帳に追加

高解像度ＤＦＲに使用し得る透明性、ＵＶ透過性と取扱い製（滑り性）を満足し、フォトレジスト層の上に保護フィルムを設ける工程を省略し、かつ産業廃棄物の軽減に寄与するドライフィルムフォトレジスト（ＤＦＲ）、いわゆるカバーレスＤＦＲに有用な積層フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a laminated film suitable for a dry film photo resist (DFR), that is a coverless DFR which satisfies the transparency capable of being used for a high resolution DFR, UV transmission property and handling property (slippage), eliminates a process for providing a protective film on a photo resist layer and contributes to the reduction of an industrial waste.例文帳に追加

高解像度ＤＦＲに使用し得る透明性、ＵＶ透過性と取扱い性（滑り性）を満足し、フォトレジスト層の上に保護フィルムを設ける工程を省略し、かつ産業廃棄物の軽減に寄与するドライフィルムフォトレジスト（ＤＦＲ）、いわゆるカバーレスＤＦＲに有用な積層フィルムを提供する。 - 特許庁