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external set resistorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 外部設定抵抗
「external set resistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6件
To allow a microcomputer itself to set a low-power-consumption mode by software without using a resistor or an external memory.例文帳に追加
抵抗や外部メモリを使用せずに、マイコン自身がソフト的に低消費電力モードを設定する。 - 特許庁
The first resistor block 14 and the second resistor block 22 are set so that one of them reacts with a magnetic material stronger than the other and that both of them react with an external magnetic field at a similar degree.例文帳に追加
第1の抵抗ブロック14または第2の抵抗ブロック22の一方が他方より強く磁性体に反応し、外部磁界に対しては第1の抵抗ブロック14と第2の抵抗ブロック22とが同程度に反応するように設定する。 - 特許庁
In the chip resistor 10 where a filmlike resistor 14 is formed on the insulating surface of a substrate 12 and coated with a protective layer 16 and an external electrode 18 is provided, arithmetic average roughness Ra on the surface of the substrate 12 for forming the resistor film 14 is set at 0.02 μm or less.例文帳に追加
基板12の絶縁性の表面上に膜状の抵抗体14を形成し、この抵抗体膜14を保護層16で被覆し、外部電極18を設けたチップ抵抗器10において、抵抗体膜14を形成する基板12表面の算術平均粗さRaを0.02μm以下とする。 - 特許庁
To provide an interface circuit, the slew rate of which is automatically set depending on an external termination resistor, independently the process conditions and other environmental conditions.例文帳に追加
プロセス条件、その他環境条件に依存せず、外部終端抵抗により、自動的にスルーレートが設定されるインタフェース回路を提供する。 - 特許庁
On the other hand, a conduction state of the transistors 11 and 12 are controlled by a voltage V20 output from a constant current circuit 20 wherein a current value is set by the external resistor R and a voltage V30 obtained by performing level shift on the voltage V20 in a level conversion circuit 30.例文帳に追加
一方、トランジスタ11,12は、外付抵抗Rによって電流値が設定される定電流回路20から出力される電圧V20と、この電圧V20をレベル変換回路30でレベルシフトした電圧V30によって導通状態が制御される。 - 特許庁
Then, a current I4 flowing into the current setting resistor R4 of this backflow prevention circuit CCP toward a ground terminal is set greater than a leakage current I2'[I4=V_BAT1/R4;I4>I2'] flowing backward through a parasitic diode D2 of a FET2 from the external power supply EXS.例文帳に追加
そして、この逆流防止回路CCPの電流設定抵抗R4に流れ込み接地端子へ向かう電流I4を、前記外部給電EXSから前記FET2の寄生ダイオードD2を通して逆流するリーク電流I2′よりも大きくなるよう設定[I4=V_BAT1/R4;I4>I2′]する。 - 特許庁
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