ferroelectric memoriesとは 意味・読み方・使い方

To provide a ferroelectric memory which has a completely new cell structure capable of almost completely solving the problems which ferroelectric memories of types of 1T1C, 2T2C, simple matrix and 1T have, and capable of enabling non-destructive reading.例文帳に追加

本発明の目的は、１Ｔ１Ｃ型、２Ｔ２Ｃ型、単純マトリクス型、及び１Ｔ型強誘電体メモリの持つ課題をほぼ完全に解決する全く新しいセル構造を有し、且つ非破壊読み出しを可能とした強誘電体メモリを提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a cycling test of the number of times of guarantee for all devices can be performed at the time of a screening test and which is constituted of ferroelectric memories.例文帳に追加

スクリーニング試験時、全てのデバイスについて保証回数のサイクリング試験を行うことができる強誘電体メモリで構成された半導体記憶装置の提供。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a nano-scale resistance cross-point memory array which incorporates a ferroelectric ultra giant magnetic resistance based resistor having lower power consumption, lower programming current and higher capability of being integrated in high density than the other memories.例文帳に追加

他のメモリに比べて低消費電力、低プログラム電流、かつ高密度集積可能な、強誘電性超巨大磁気抵抗ベースの抵抗を組み込んだノスケール抵抗クロスポイント型メモリアレイを製造すること。 - 特許庁

To provide a technique in which especially byte size of data being inputted and outputted is selectively controlled using a nonvolatile ferroelectric substance register and compatibility with various memories is maintained for an input output byte control device using the register.例文帳に追加

本発明は不揮発性強誘電体レジスタを利用した入出力バイト制御装置に関し、特に不揮発性強誘電体レジスタを利用して入出力されるデータのバイト大きさを選択的に制御し、多様なメモリと互換性が維持できるようにする技術を開示する。 - 特許庁

The programming of data is executed by the write units which are less than blocks as erasure units, and not less than pages as program units in the flash type EEPROM memories, and the conversion table of a logical address and a physical address by the write units is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

上記フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリには、イレーズ単位であるブロックより小さく、プログラム単位であるページ以上のライト単位でデータのプログラムを行い、上記強誘電体メモリには、上記ライト単位の論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを記憶する。 - 特許庁

The data carrier system includes: a first memory (101), which is the ferroelectric memory; a second memory (202); a polarization canceling circuit (102) for canceling polarization of the first memory in accordance with an instruction given thereto and a control circuit (103) for making data access to the first and second memories and controlling operations of the polarization canceling circuit.例文帳に追加

データキャリアシステムは、強誘電体メモリである第１のメモリ（１０１）と、第２のメモリ（２０２）と、与えられた命令に従って第１のメモリの分極消去を行う分極消去回路（１０２）と、第１及び第２のメモリに対するデータアクセス及び分極消去回路の動作制御を行う制御回路（１０３）とを備えている。 - 特許庁

A ferroelectric memory 1 includes, on a substrate 10, a voltage generation circuit 12 configured to generate a predetermined driving voltage Vint0, a driving wiring line 13 to which the driving voltage Vint0 is applied, a plurality of memories connected to the driving wiring line 13, and an internal voltage comparison circuit 14 configured to compare input potentials with each other to output a comparison result.例文帳に追加

強誘電体メモリ１において、基板１０上に、所定の駆動電位Ｖｉｎｔ０を生成する電圧発生回路１２、駆動電位Ｖｉｎｔ０が印加される駆動配線１３、駆動配線１３に接続された複数のメモリセル、入力された電位同士を比較して比較結果を出力する内部電圧比較回路１４を設ける。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁