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resistive random access memoryとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ReRAMとは、半導体メモリの一種で、電圧を加える（印加する）と電気抵抗の値が変化する金属酸化物の素子を利用して、データを保持する方式の不揮発性メモリのことである。、ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。
Weblio英和対訳辞書での「resistive random access memory」の意味 |
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Resistive Random Access Memory
Resistive random-access memory
「resistive random access memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
A memory apparatus may be a resistive cross point memory (RXPtM) cell type (e.g. a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加
抵抗性クロスポイントメモリ(resistive cross point memory(RXPtM))セルタイプ(例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM))とすることが可能なメモリ装置。 - 特許庁
The resistive random access memory device has: a memory chip using a resistive random access memory cell; and a heater which imparts a temperature bias for accelerating state change of the memory cell to the memory chip.例文帳に追加
抵抗変化メモリ装置は、抵抗変化型メモリセルを用いたメモリチップと、このメモリチップに、メモリセルの状態変化を加速するための温度バイアスを与えるヒータと、を有する。 - 特許庁
The resistive memory cells 170, 173, 175, 177 are provided with magnetic random access memory cells 265 connected electrically to a diode 260.例文帳に追加
抵抗性メモリセル(170,173,175,177)は、ダイオード(260)に電気的に接続される磁気ランダムアクセスメモリセル(265)を備える。 - 特許庁
To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加
抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a resistive random access memory device having a PCMO switching thin film.例文帳に追加
ＰＣＭＯスイッチング薄膜を有する抵抗性ランダムアクセスメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「resistive random access memory」の意味 |
resistive random access memory
同意語
- RRAM (abbreviaiton)
派生語
- RRAM (abbreviation)
関連する語
- random access memory
- read-only memory
- magnetic random access memory (magnetic RAM)
- ferroelectric random access memory (ferroelectric RAM)
- static random access memory (static RAM)
- dynamic random access memory (dynamic RAM)
- video random access memory (video RAM)
- dual ported random access memory (dual ported RAM)
- fast page dynamic random access memory (fast page DRAM)
- extended data-out dynamic random access memory (extended data-out DRAM)
- non-volatile random access memory (non-volatile RAM)
- RAMBUS dynamic random access memory (RAMBUS DRAM)
- synchronous dynamic random access memory (synchronous DRAM)
- Windows random access memory (Windows RAM)
「resistive random access memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
A method for designing a resistive random access memory array (80) is provided, in which elements are selected with values of resistances that are correlated to maintain a signal-to-noise ratio of 20 decibels or more for the array.例文帳に追加
抵抗性ランダムアクセスメモリアレイ(80)を設計するための方法が提供され、その場合エレメントは、アレイに対して20dB以上の信号対雑音比を維持するように相関された抵抗の値に選択される。 - 特許庁
To provide a magnetic recorder which has a magnetic reproducing head equipped with a high-output magneto-resistive effect element, and a random access magnetic memory which has a magnetization inversion function by a high-polarization spin injection means.例文帳に追加
高出力な磁気抵抗効果素子を備えた磁気再生ヘッドをもつ磁気記録装置と高偏極スピン注入手段による磁化反転機能を持つランダムアクセス磁性メモリを提供する。 - 特許庁
A magnetic random access memory has a plane shape having a plurality of corners and is equipped with a magnetro-resistive element MTJ whose radius of curvature at least at one corner is 20 nm or less.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリは、複数のコーナーを有する平面形状であり、一つ以上のコーナーにおける曲率半径が２０ｎｍ以下である磁気抵抗効果素子ＭＴＪを具備する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory including variable resistive elements which can stably and highly controllably perform writing under an intended electric resistance state in a writing operation by a random access.例文帳に追加
ランダムアクセスによる書き込み動作において、所望の電気抵抗状態へ安定に、制御性よく書き込みを行うことが可能な、可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A resistive cross point memory (RXPtM) cell array device 10 (one example of which is a magnetic random access memory(MRAM) device) includes a chip 40 on which an array 12 of RXPtM cells is formed, an array 44 of sense amplifiers used in sensing resistance values of the RXPtM cells 14, and an input/output(I/O) controller 48 are formed.例文帳に追加
抵抗性交点メモリ(RXPtM)セルアレイデバイス10（この１つの例は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスである）は、RXPtＭセルのアレイ１２、RXPtＭセル14の抵抗値を読み取る際に使用されるセンス増幅器のアレイ44、及び、入力／出力(I/O)コントローラ48が形成されたチップ40を備える。 - 特許庁
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