ferroelectric Pbとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device includes a lower electrode, a first ferroelectric layer formed on the lower electrode and containing Pb, Zr and Ti, a second ferroelectric layer formed on the first ferroelectric layer and containing Pb, Zr and Ti, and an upper electrode formed on the second ferroelectric layer, the composition ratio of Ti of the second ferroelectric layer being larger than that of the first ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置は、下部電極と、前記下部電極上に形成されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第１の強誘電体層と、前記第１の強誘電体層上に形成され、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された上部電極と、を含み、前記第２の強誘電体層のＴｉの組成比は、前記第１の強誘電体層のＴｉの組成比より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which excess components (mainly Pb) of a ferroelectric film can be removed effectively, while maintaining proper interface state between the ferroelectric film and the upper electrode, and to provide a ferroelectric capacitor structure.例文帳に追加

強誘電体膜と上部電極の界面状態を良好に保つと共に、強誘電体膜の過剰成分（主にＰｂ）を効果的に除去することのできる半導体装置の製造方法及び強誘電体キャパシタ構造を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric film 13 of the ferroelectric capacitor 3 is made of a single crystal of a compound having a Perovskite crystal structure expressed by Pb(Zr, Ti, Nb)O_3, and the ferroelectric film compound is such that the atomic ratio of Nb [{Nb/(Zr+Ti+Nb)}×100] in a B site is ≥2.5% and ≤5%.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ３の強誘電体膜１３は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ_３で示されるペロブスカイト型の結晶構造を有した化合物の単一結晶からなり、この強誘電体膜化合物は、Ｂサイト中におけるＮｂの原子数比［{Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）}×１００］が２．５％以上５％以下である。 - 特許庁

The ferroelectric memory comprises a silicon substrate, a silicon oxynitride film formed on the substrate and having a thickness of 0.5 to 4 nm, a Bi perovskite ferroelectric or Pb-perovskite ferroelectric thin film formed on the silicon oxynitride film, and an electrode formed on the ferroelectric thin film.例文帳に追加

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された厚さ０．５〜４ｎｍのシリコン酸窒化膜と、前記シリコン酸窒化膜上に形成されたＢｉ系ペロブスカイト強誘電体またはＰｂ系ペロブスカイト強誘電体の薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された電極とを備えることを特徴とする強誘電体メモリ。 - 特許庁

The composition for forming a ferroelectric film is one that is used for forming a ferroelectric film by the MOD method and contains an organometallic compound containing lead (Pb) and zirconium (Zr) and a methyl group and a carboxylate group, and a compound of a metal other than lead and zirconium.例文帳に追加

強誘電体膜をＭＯＤ法により形成するための強誘電体膜形成用組成物であって、鉛（Ｐｂ）及びジルコニウム（Ｚｒ）を含み且つメチル基及びカルボキシレート基を含む有機金属化合物と、鉛及びジルコニウム以外の金属の化合物とを含有する。 - 特許庁

This composition for a PLSCSZT ferroelectric thin film is the composition for a perovskite type PLSCSZT ferroelectric thin film comprising metal alkoxides of Pb, La, Ca, Sr, Zr and Ti, a partial hydrolyzate and/or an organic acid salt thereof, and contains ≤0.8 wt.% water component.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｌａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が０．８重量％以下であるＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

For controlling contamination, a ferroelectric device material (contaminant related to a ferroelectric substance such as Pb, Zr, Ti and contaminant related to the electrode such as Ir) is removed from the base surface of the substrate and from the edge by selective etching.例文帳に追加

汚染をコントロールするため、強誘電体デバイス材料（例えば、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉのような強誘電体に関連した汚染物及びＩｒのような電極に関連した汚染物）が、基板の底部表面及びエッジから選択的エッチングによって除去される。 - 特許庁

The stress in the Pb system perovskite ferroelectric film 2 constituting the solid electronic device is made a tensile stress or a compression stress of not higher than 27MPa.例文帳に追加

固体電子装置を構成するＰｂ系ペロブスカイト強誘電体膜２のストレスを２７ＭＰａ以下の引張ストレス或いは圧縮ストレスとする。 - 特許庁