「ferroelectric Pb」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffusion-promoting film 16 absorbs excess Pb in the ferroelectric film 14(PZT) via the upper electrode member layer 15s.例文帳に追加

拡散促進膜１６は、強誘電体膜１４（ＰＺＴ）中の過剰Ｐｂを、上部電極部材層１５ｓを介して吸収する。 - 特許庁

In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加

強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower electrode, a first ferroelectric layer formed on the lower electrode and containing Pb, Zr and Ti, a second ferroelectric layer formed on the first ferroelectric layer and containing Pb, Zr and Ti, and an upper electrode formed on the second ferroelectric layer, the composition ratio of Ti of the second ferroelectric layer being larger than that of the first ferroelectric layer.例文帳に追加

半導体装置は、下部電極と、前記下部電極上に形成されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第１の強誘電体層と、前記第１の強誘電体層上に形成され、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された上部電極と、を含み、前記第２の強誘電体層のＴｉの組成比は、前記第１の強誘電体層のＴｉの組成比より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which excess components (mainly Pb) of a ferroelectric film can be removed effectively, while maintaining proper interface state between the ferroelectric film and the upper electrode, and to provide a ferroelectric capacitor structure.例文帳に追加

強誘電体膜と上部電極の界面状態を良好に保つと共に、強誘電体膜の過剰成分（主にＰｂ）を効果的に除去することのできる半導体装置の製造方法及び強誘電体キャパシタ構造を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric film 13 of the ferroelectric capacitor 3 is made of a single crystal of a compound having a Perovskite crystal structure expressed by Pb(Zr, Ti, Nb)O_3, and the ferroelectric film compound is such that the atomic ratio of Nb [{Nb/(Zr+Ti+Nb)}×100] in a B site is ≥2.5% and ≤5%.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ３の強誘電体膜１３は、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ_３で示されるペロブスカイト型の結晶構造を有した化合物の単一結晶からなり、この強誘電体膜化合物は、Ｂサイト中におけるＮｂの原子数比［{Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）}×１００］が２．５％以上５％以下である。 - 特許庁

The ferroelectric memory comprises a silicon substrate, a silicon oxynitride film formed on the substrate and having a thickness of 0.5 to 4 nm, a Bi perovskite ferroelectric or Pb-perovskite ferroelectric thin film formed on the silicon oxynitride film, and an electrode formed on the ferroelectric thin film.例文帳に追加

シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された厚さ０．５〜４ｎｍのシリコン酸窒化膜と、前記シリコン酸窒化膜上に形成されたＢｉ系ペロブスカイト強誘電体またはＰｂ系ペロブスカイト強誘電体の薄膜と、前記強誘電体薄膜上に形成された電極とを備えることを特徴とする強誘電体メモリ。 - 特許庁

The composition for forming a ferroelectric film is one that is used for forming a ferroelectric film by the MOD method and contains an organometallic compound containing lead (Pb) and zirconium (Zr) and a methyl group and a carboxylate group, and a compound of a metal other than lead and zirconium.例文帳に追加

強誘電体膜をＭＯＤ法により形成するための強誘電体膜形成用組成物であって、鉛（Ｐｂ）及びジルコニウム（Ｚｒ）を含み且つメチル基及びカルボキシレート基を含む有機金属化合物と、鉛及びジルコニウム以外の金属の化合物とを含有する。 - 特許庁

This composition for a PLSCSZT ferroelectric thin film is the composition for a perovskite type PLSCSZT ferroelectric thin film comprising metal alkoxides of Pb, La, Ca, Sr, Zr and Ti, a partial hydrolyzate and/or an organic acid salt thereof, and contains ≤0.8 wt.% water component.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｌａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が０．８重量％以下であるＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

For controlling contamination, a ferroelectric device material (contaminant related to a ferroelectric substance such as Pb, Zr, Ti and contaminant related to the electrode such as Ir) is removed from the base surface of the substrate and from the edge by selective etching.例文帳に追加

汚染をコントロールするため、強誘電体デバイス材料（例えば、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉのような強誘電体に関連した汚染物及びＩｒのような電極に関連した汚染物）が、基板の底部表面及びエッジから選択的エッチングによって除去される。 - 特許庁

The stress in the Pb system perovskite ferroelectric film 2 constituting the solid electronic device is made a tensile stress or a compression stress of not higher than 27MPa.例文帳に追加

固体電子装置を構成するＰｂ系ペロブスカイト強誘電体膜２のストレスを２７ＭＰａ以下の引張ストレス或いは圧縮ストレスとする。 - 特許庁

The ferroelectrics constituting the ferroelectric capacitor comprises Pb(Nb, Zr, Ti)O_3 [PNZT] of tetragonal having perovskite structure, with 3.5% or less composition ratio (percentage) Nb/(Nb+Zr+Ti).例文帳に追加

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体がぺロブスカイト構造をもつ正方晶のＰｂ（Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_3 ［ＰＮＺＴ］からなり、組成比（百分率）：Ｎｂ／（Ｎｂ＋Ｚｒ＋Ｔｉ）が３．５％以内であることが基本になっている。 - 特許庁

A ferroelectric film 11b made of Pb(ZrTi)O3 is formed on the surface of conductive powder 11a of titanium or a titanium alloy or a titanium compound through electroless hydrothermal synthesis method, and a dielectric powder 11 is formed.例文帳に追加

チタン，チタン合金またはチタン化合物の導電性粉末１１ａの表面上に無電解式の水熱合成法によりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ_3 からなる強誘電体膜１１ｂを形成して誘電体粉末１１を作る。 - 特許庁

The ferroelectric thin film-forming coating comprises (A) a heteropolyacid and (B) an organometallic compound having at least one selected from Ta, Bi, Sr, Nb, Pb, Zr and Ti as a element.例文帳に追加

（Ａ）ヘテロポリ酸と、（Ｂ） Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉから選ばれる少なくとも１つを構成元素として有する有機金属化合物とを含有することを特徴とする強誘電体薄膜形成用塗布液。 - 特許庁

An anti-oxidizing film, which is formed between a semiconductor element part formed by a reduction action and a ferroelectric capacitor formed in an oxide atmosphere, is formed with a composition allowing the passage of Pb.例文帳に追加

還元作用で形成される半導体素子部と酸化雰囲気で形成される強誘電体キャパシタの間に形成される酸化防止膜を、Ｐｂが通過できるような組成により形成する。 - 特許庁

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion.例文帳に追加

強誘電体材料や高誘電率材料の構成元素であるＴｉやＰｂなどがＳｉＯ_2 膜や半導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。 - 特許庁

The ferroelectric thin film with a perovskite structure is particularly composed of (Ba_xSr_1-x)TiO_3 or Pb(Zr_xTi_1-x)O_3{0<x<1} epitaxially grown in (111) plane.例文帳に追加

特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film single crystal of PbTiO_3 or Pb(ZrTi)O_3 having a uniform thickness grown epitaxially on a substrate.例文帳に追加

基板上で厚さが均一な強誘電体薄膜単結晶をエピタキシャル成長するＰｂＴｉＯ_３またはＰｂＺｒＴｉＯ_３の強誘電体薄膜単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the interface layer comes into contact with Ru, RuO_2 and PZT so as to be composed of a metal oxide layer composed of an oxide by Pb, Ti and Ru, a ferroelectric characteristic which is industrially sufficient is displayed.例文帳に追加

しかし、この界面層がＲｕに接してＲｕＯ２、ＰＺＴに接してＰｂ、Ｔｉ、Ｒｕの酸化物よりなる金属酸化層よりなるならば工業的には充分な強誘電体特性が示すものが得らた。 - 特許庁

The subject perovskite-type PLZT ferroelectric thin film-forming composition comprising respective alkoxides, partial hydrolyzates and/or organic acid salts of Pb, La, Zr and Ti is such as to be ≤0.8 wt.% in moisture content.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｌａ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＬＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が０．８重量％以下であるＰＬＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

This composition for forming PLCSZT ferroelectric perovskite thin film contains metal alkoxides, their partial-hydrolysis products and/or organic acid salts of Pb, La, Ca, Sr, Zr and Ti and in the composition, the number of particles having ≥0.5 μm particle size is ≤50/ml.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｌａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、粒径０．５μｍ以上のパーティクルが５０個／ｍＬ以下であるＰＬＣＳＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

In a composition for forming a perovskite-type PNZT ferroelectric thin film, which contains metal alkoxides of Pb, Nb, Zr and Ti and partially hydrolyzed compounds of the alkoxides and/or organic acid salts of these metals, the number of particles having particle sizes of ≥0.5 μm is controlled to be not more than 50 pieces/ml.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＮＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、粒径０．５μｍ以上のパーティクルが５０個／ｍＬ以下であるＰＮＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

The ferroelectric film 101 is composed of an oxide represented by a general formula of AB_1-xNb_xO_3 wherein the element A comprises at least Pb, and the element B comprises at least one of Zr, Ti, V, W and Hf, and the oxide contains Nb in an amount of 0.05≤x<1.例文帳に追加

本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 - 特許庁

The ferroelectric film 101 is formed from an oxide represented by the general formula: AB_1-xNb_xO3 (wherein element A comprises at least Pb; element B comprises at least one chosen from Zr, Ti, V, W and Hf; and x represents the amount of Nb and is within the range of 0.05≤x<1).例文帳に追加

本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 - 特許庁

This ferroelectric film 101 is formed of an oxide containing Nb in the range of 0.05≤x<1 and expressed by general formula of AB_1-xNb_xO_3, wherein the element A comprises at least Pb, and the element B comprises one or more out of Zr, Ti, V, W and Hf.例文帳に追加

本発明の強誘電体膜１０１は、ＡＢ_１−ｘＮｂ_ｘＯ_３の一般式で示され、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ及びＨｆのうち、少なくとも一つ以上からなり、０．０５≦ｘ＜１の範囲でＮｂを含む酸化物から形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing high-purity lead bis (β-diketonate) used for forming Pb (Zr, Ti) O3 membrane which is a ferroelectric substance by CVD(chemical vapor deposition) method and having each ≤0.1 ppm of metallic element impurities substantially without containing particles with high yield.例文帳に追加

強誘電体のＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ_３膜をＣＶＤ法で形成するための、金属元素不純物が各０．１ｐｐｍ以下でかつパーティクルが実質的にない高純度の鉛ビス（β−ジケトネート）の高収率な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vaporizing device to vaporize and feed a film forming material to a film forming device such as a CVD on the practical level in the practical use of a ferroelectric memory (FeRAM) using SrBi2Ta2O9(SBT), Pb(Zr, Ti)O3(PZT), etc., of a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリーの、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９（ＳＢＴ）、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３（ＰＺＴ）などを用いた強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の実用化において、これらの膜を作成するための成膜原料を実用化レベルでＣＶＤのような成膜装置に気化させて供給するための気化装置を提供する。 - 特許庁

The sintered compact is a compound oxide sintered compact used for the target for forming the ferroelectric thin film, comprising a crystal structure of lead zirconate titanate and PbO, and expressed by a composition formula: Pb_x(Zr_1-aTi_a)_yO_z.例文帳に追加

強誘電体薄膜形成用のターゲットに用いる、チタン酸ジルコン酸鉛とＰｂＯの結晶組織からなる組成式：Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_ｙＯ_ｚで表される複合酸化物焼結体であって、前記組織は、ＥＰＭＡ面分析で測定されるＰｂＯ相の大きさが１〜５μｍであり、また前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ及びａは下記の三つの要件を満たしていることを特徴とする焼結体などによって提供。 - 特許庁

The compound oxide sintered body to be used for a target for depositing the ferroelectric thin film has a composition formula : Pb_x(Zr_1-aTi_a)_yO_z consisting of the crystalline structure of lead titanate zirconate and PbO.例文帳に追加

強誘電体薄膜形成用のターゲットに用いる、チタン酸ジルコン酸鉛とＰｂＯの結晶組織からなる組成式：Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_ｙＯ_ｚで表される複合酸化物焼結体であって、前記組織は、平均結晶粒径が３〜７μｍかつ最大空隙径が２μｍ以下であるとともに、Ｐｂ成分が均一分散されており、また前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ及びａは下記の三つの要件を満たしていることを特徴とする焼結体などによって提供。 - 特許庁