field effect dopingとは 意味・読み方・使い方

DOPING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ドーピング方法及び電界効果型トランジスタの作製方法 - 特許庁

To freely set the threshold voltage Vth of a field-effect transistor, without doping impurities.例文帳に追加

不純物のドーピングを行わずに、しきい値電圧Ｖ_thを自由に設定することを可能とする。 - 特許庁

This technique diminishes the coercive force electric field of the periodic region inversion structure SHG crystal by applying a doping effect.例文帳に追加

本技術はドープ効果を応用して周期性領域反転構造ＳＨＧ結晶の保磁力電場を小さくする。 - 特許庁

An SiSnC channel layer 14 of a vertical MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is made into a p-type semiconductor by doping Al and includes Si_0.9Sn_0.1C mixed crystal made of SiC crystal doped with Sn.例文帳に追加

縦型のＭＯＳＦＥＴにおけるＳｉＳｎＣチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、ＳｉＣ結晶にＳｎがドープされたＳｉ_0.9Ｓｎ_0.1Ｃ混晶を含んでいる。 - 特許庁

The source/drain of the sense field-effect transistor is formed as an embedded doping layer (e.g. N+ in a P-type doped substrate) formed, prior to the formation of a polysilicon floating gate and a control gate.例文帳に追加

センス電界効果トランジスタのソース／ドレインは、ポリシリコン浮遊ゲート及びコントロールゲートの形成前に形成される埋込ドーピング層（例えば、Ｐ型にドーピングされた基板中のＮ＋）から形成される。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

In the base unit structure of a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the doping concentration at a channel formation section 3c of the well region 3 is minimum at the top surface, and the doping concentration at the bottom of the well region 3 is the same in the lower part 3a of the source region 4 and the lower part 3b of the channel formation section 3c.例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの基本単位構造において、ウェル領域３のチャネル形成部３ｃのドーピング濃度は上面部で最小になり、ウェル領域３の底部のドーピング濃度はソース領域４の下の部分３ａとチャネル形成部３ｃの下の部分３ｂとで同じである。 - 特許庁