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field effect conductanceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 電界効果コンダクタンス
「field effect conductance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
To provide a high breakdown strength field effect transistor without side gate effects or frequency dispersion of drain conductance, etc.例文帳に追加
サイドゲート効果やドレインコンダクタンスの周波数分散などのない高耐圧の電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁
To provide an insulated gate field-effect transistor which can obtain desired breakdown resistance without reducing the mutual conductance.例文帳に追加
相互コンダクタンスを低下させることなく、所望の破壊耐量を得ることができる絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a field effect transistor which can reduce an input capacity while a size is reduced and a mutual conductance is maintained high.例文帳に追加
小型化すると共に、相互コンダクタンスを高いまま維持しながら、入力容量を下げることを可能にした電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a GaInP laminated structure having high electron mobility and a superior mutual conductance characteristic and used for a field effect transistor, etc.例文帳に追加
高い電子移動度有し、相互コンダクランス特性に優れる、電界効果型トランジスタ等に用いられるGaInP系積層構造体を提供する。 - 特許庁
To provide a JFET (junction field effect transistor) which easily realizes normally off, while securing high conductance and where leakage current is small even at high temperatures, and to provide a method for manufacturing the JFET.例文帳に追加
高コンダクタンスを確保しつつノーマリーオフを容易に実現し、かつ高温でも漏洩電流の少ないJFETおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To realize a normally-off type field-effect transistor having superior element characteristics with reduced parasitic resistance of channel, increased maximum drain current and increased mutual conductance.例文帳に追加
チャネルの寄生抵抗を小さく最大ドレイン電流が大きく相互コンダクタンスの大きな素子特性に優れたノーマリオフ型電界効果トランジスタの実現。 - 特許庁
A field effect transistor can be used as the non-contact thermal switch 4, and the quantity of a conduction carrier in the channel formation area of the field effect transistor is controlled, and a thermal conductance between a source and a drain is controlled.例文帳に追加
無接点の熱スイッチ4としては、電界効果トランジスターを使用することができ、電界効果トランジスターのチャネル形成領域における伝導キャリアの量が制御されて、ソースおよびドレイン間の熱コンダクタンスが制御される。 - 特許庁
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「field effect conductance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
To manufacture a field-effect transistor, having a desired value of gate breakdown voltage and of mutual conductance and a threshold voltage that is highly uniform throughout a wafer region, with reduced number of processes and superior controllability.例文帳に追加
少ない工程で、しきい値電圧の面内均一性が高くかつ所望のゲート耐圧および相互コンダクタンスを有する電界効果型トランジスタを制御性良く製造することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same having a high output resistance while maintaining a high mutual conductance by downscaling of an MIS (metal insulator semiconductor) type field effect transistor without employing an SOI (silicon on insulator) substrate.例文帳に追加
SOI基板を用いることなく、MIS型電界効果トランジスタの微細化により高い相互コンダクタンスを維持しながら、出力抵抗の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Due to the hybridization of the target DNA and the probe DNA (30), the mutual conductance of the field effect transistor Tr2 is changed due to a change in a minute capacity formed between each metal fine particle (20) and the reference electrode (21), thus changing a current value outputted from a current output terminal in the field effect transistor Tr2.例文帳に追加
ターゲットDNAとプローブDNA(30)とがハイブリダイゼーションすることによって、各々の金属微粒子(20)と参照電極(21)との間に形成される微小容量の変化に伴い電界効果トランジスタTr2の相互コンダクタンスを変化させ、電界効果トランジスタTr2の電流出力端子から出力される電流値を変化させる。 - 特許庁
To provide a laminated structure for GaInP system high electron mobility field effect transistor, which has uniform mutual conductance and pinch-off voltage, by improving the surface states of a channel layer and an electron supply layer and making the indium composition to be uniform.例文帳に追加
チャネル層、電子供給層の表面状態に改善し、インジウム組成を均一とすることにより、均一な相互コンダクタンスやピンチオフ電圧を有するGaInP系高電子移動度電界効果トランジスタ用途の積層構造体を提供する。 - 特許庁
To provide structure where the drop of drain resistance or the increase of an output conductance can be suppressed even if gate width becomes large, and to provide a transistor where the maximum permission voltage of output voltage is improved and an operation in positive and negative potentials on body potential is realized, on the field effect transistor formed in a semiconductor thin film on an insulating substrate and on the integrated circuit.例文帳に追加
絶縁性基板上の半導体薄膜に形成された電界効果トランジスタとその集積回路に関し、ゲート幅が大きくなってもドレイン耐圧の低下または出力コンダクタンスの増加が抑えられる構造、および出力電圧の最大許容電圧を改善すると共にボディ電位に関して正負両電位での動作が可能なトランジスタを提供する。 - 特許庁
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