field effect devicesとは 意味・読み方・使い方

To improve a field effect transistor for reducing burden on manufacturing processes and differences in characteristics between devices, and to provide a manufacturing method of the transistor and a biosensor.例文帳に追加

製造工程の負担を低減するとともに、デバイス毎の特性の差異を低減する電界効果トランジスタ、その製造法、及びバイオセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which has good high frequency characteristics, high power density even for high gate electrode potentials, and suitable characteristics for making high speed and high power devices.例文帳に追加

高周波特性が良く、ゲート電極電位が高いときでも電力密度が高く、高速化及び大電力化に適した電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide oxide transistor material that can be practically used, electronic devices using the same such as a field-effect transistor, and a method for manufacturing the oxide transistor material.例文帳に追加

実用に耐え得る酸化物半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイス、及び酸化物半導体材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor integrated circuit device which can easily reduce variations in the gate bias voltage of a GaAs field-effect transistor among a plurality of semiconductor devices or variations among a plurality of GaAs field-effect transistors of the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

ＧａＡｓ電界効果トランジスタのゲートバイアス電圧について、複数の半導体装置間でのバラツキを、または半導体集積回路装置の複数のＧａＡｓ電界効果トランジスタ間でのバラツキを、容易に低減できる半導体装置および半導体集積回路装置を提案する。 - 特許庁

The method for producing them and their uses as the semiconductor or electric charge transfer material in optical, electro-optical or electronic devices including an electric field effect transistor, and electroluminescent, photovoltanic and sensor devices are provided.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁

This invention further relates to methods for producing them, and uses thereof as semiconductor or charge transfer materials in an optical, electro-optical, or electronic devices including field effect transistors and electroluminescent, photovoltaic and sensor devices.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁

This invention provides methods for producing the same, and use of them for semiconductors or charge transport materials in optical, electrooptical or electronic devices including electric field effect transistors, electroluminescent, photovoltaic and sensor devices.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学的、電気光学的または電子デバイスにおける半導体または電荷移動材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁

The invention further relates to methods for their production and their use as semiconductors or charge transfer materials in optical, electrooptical or electronic devices including field effect transistors, electroluminescent, photovoltaic and sensor devices.例文帳に追加

本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサー装置を含む、光学的、電気光学的または電子装置における半導体または電荷移動材料としてのこれらの使用に関する。 - 特許庁