flash annealingとは 意味・読み方・使い方

In the second heat treatment, a high-temperature short-time heat treatment is performed such as spike annealing or flash annealing, so that the impurity is diffused into each of the crystal grains in the polysilicon layer.例文帳に追加

次に、第２の熱処理として、ポリシリコン層中の各グレイン内への不純物の拡散が生じるような高温短時間の熱処理、スパイクアニール，フラッシュアニール等を行なう。 - 特許庁

In this way, stable and significant suppression of the occurrence of slip dislocation or the breakage of the wafer or the like caused by the thermal stress in low thermal budget heat treatment, for example, such as flash lamp annealing and laser spike annealing.例文帳に追加

このようにして、例えば、フラッシュランプアニール、レーザスパイクアニール等の低サーマルバジェットの熱処理において、その熱応力起因のスリップ転位発生あるいはウェーハ割れ等は安定して大幅に抑制される。 - 特許庁

Also, the flash memory 10 can be alternatively provided with a temperature sensor 11 for measuring a temperature of the flash memory circuit and a controller 15 for controlling the heater according to a predetermined annealing condition on the basis of a detection value of the temperature sensor.例文帳に追加

また、フラッシュメモリ１０は、フラッシュメモリ回路の温度を計測する温度センサ１１と、温度センサの検出値に基づいて所定のアニーリング条件に従ってヒータを制御する制御部１５と、を備えてもよい。 - 特許庁

Thereafter, a second impurity of the first conductivity type is ion implanted into the silicon substrate 101 and flash lamp annealing is performed thereon, so that an n-type source-drain region 109 is formed.例文帳に追加

その後、第一導電型の第二不純物をシリコン基板１０１にイオン注入し、フラッシュランプアニールを行うことにより、ｎ型ソース・ドレイン領域１０９を形成する。 - 特許庁

The method includes providing a thermally insulating substrate, depositing an energy absorbing layer on the thermally insulating substrate, depositing the magnetic layer on the energy absorbing layer, and flash annealing the magnetic layer.例文帳に追加

方法は、断熱基板を提供する段階と、断熱基板上にエネルギー吸収層を被着させる段階と、エネルギー吸収層上に磁気層を被着させる段階と、磁気層をフラッシュ・アニールする段階とを含む。 - 特許庁

To provide a heat treatment method, a method of manufacturing a semiconductor apparatus, and a flash lamp annealing apparatus, which suppress diremption of hydrogen from a dangling bond terminated with hydrogen at an insulating film/semiconductor interface due to irradiation of ultra violet rays.例文帳に追加

熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置に関し、紫外線照射による絶縁膜／半導体界面における水素で終端されたダングリング・ボンドからの水素の乖離を抑制する。 - 特許庁

To provide a substrate manufacturing method and a substrate, capable of suppressing a split substrate from the origin of a scratch or a crack on the rear face, when performing high-temperature and short-time heat treatment, such as flash lamp annealing, on the substrate.例文帳に追加

基板に対してフラッシュランプアニールのような高温かつ短時間の熱処理を施す場合に、裏面のキズやクラックを起点とする基板の割れを抑制することが可能な基板の製造方法および基板を提供すること。 - 特許庁

When high-intensity flash lamp annealing irradiation is performed for heating a wafer for 0.1 to 10 ms at no less than 1,100°C wafer surface temperature, the wafer-surface temperature immediately prior to the irradiation is set at a high temperature range of 800 to 1,000°C.例文帳に追加

ウェハをウェハ表面温度１１００℃以上に０．１〜１０ミリ秒で加熱するための高強度のフラッシュランプアニールを照射する際、その直前のウェハ表面温度を８００〜１０００℃と高温にする。 - 特許庁