gate oxidationとは 意味・読み方・使い方

Then, after oxidation is performed to form a gate after oxide film over the entire surface.例文帳に追加

その後、後酸化が行われ、全面にゲート後酸化膜２８が形成される。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having the gate electrodes containing high melting point metal as material, comprises a step of carrying out initial oxidation of oxidation at a prescribed temperature, for forming an oxide film for covering the side face of the exposed gate electrodes after forming the gate electrodes; and a step of additional oxidation of oxidation at higher temperature than the initial oxidation after the initial oxidation.例文帳に追加

高融点金属を材料に含むゲート電極を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極を形成した後、露出したゲート電極の側面を覆うための酸化膜を形成するために所定の温度で酸化する初期酸化を行うステップと、初期酸化の後、初期酸化よりも高温で酸化する追加酸化を行うステップとを有するものである。 - 特許庁

Accordingly, the control metal gate 125an can be prevented from oxidation by an oxidation process or an oxide and the like.例文帳に追加

これにより、制御金属ゲート１２５ａｎが酸化工程又は酸化物等によって酸化されることを防止することができる。 - 特許庁

The plasma oxidation shortens ingress distance of oxidized species, and controls oxidation of a polysilicon film and a gate insulating film.例文帳に追加

プラズマ酸化により酸化種の侵入距離を短くし、ポリシリコン膜やゲート絶縁膜の酸化を抑制する。 - 特許庁

Also, oxidation after the gate insulation film other than the area under the electrode is formed through high-temperature wet oxidation.例文帳に追加

また、上記電極下以外のゲート絶縁膜を除去した後の酸化は、高温のウェット酸化で行うことを特徴としている。 - 特許庁

Since oxidation of the polysilicon upon the selective oxidation can be suppressed, variations in the thickness of the gate oxide film can be suppressed.例文帳に追加

選択酸化時のポリシリコンの酸化を抑制することで、ゲート酸化膜厚のばらつきを抑える事ができる。 - 特許庁

To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels.例文帳に追加

低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。 - 特許庁

A low voltage gate insulation film, namely, a second gate oxidation film thinner than the first gate oxidation film is selectively formed on the second area of the cell array area and a part of the peripheral circuit area.例文帳に追加

セルアレイ領域の第２領域及び周辺回路領域の一部分上に選択的に第１ゲート酸化膜より薄い低電圧ゲート絶縁膜、即ち第２ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁