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ウィキペディア英語版での「Gate orbit」の意味 |
Gate orbit
出典:『Wikipedia』 (2011/01/18 20:07 UTC 版)
「Gate orbit」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
The orbit 2 is provided with a first limit switch 95 which detects installation of the traffic prohibition gate 71 to the orbit 2.例文帳に追加
第１リミットスイッチ９５は、軌道２に設けられ、通行禁止ゲート７１が軌道２に設置されたことを検出する。 - 特許庁
Only time measurement is executed during a period from a point of time ions are emitted from an ion source 1 to application of a voltage for making the ions leave from an orbit A after circulating the orbit A a predetermined number of times to a gate electrode 21.例文帳に追加
イオン源１からイオンが出射した時点から、そのイオンが周回軌道Ａを所定回数周回して軌道Ａを離脱するための電圧をゲート電極２１に印加するまでの期間中は、時間計測のみを実行する。 - 特許庁
A traffic prohibition gate 71 can be installed in the orbit 2 and has a mirror 87 which is detectable by the second photoelectronic sensor 48.例文帳に追加
通行禁止ゲート７１は、軌道２に設置可能であり、第２光電センサ４８によって検出可能なミラー８７を有する。 - 特許庁
A gate electrode 3 is provided over a straight line orbit B where the ion outgoing is flying from an ion source 1, and the ion is introduced over a circumvolant orbit A when a voltage is applied to the gate electrode 3 from the MS mode changeover controller 7.例文帳に追加
イオン源１から出射したイオンが飛行する直線軌道Ｂ上にゲート電極３を設け、ＭＳモード切替制御部７からゲート電極３に電圧が印加されたときにはイオンが周回軌道Ａに導入されるようにする。 - 特許庁
The water level of a stream just above a sluice gate is measured in a water-level measuring process 4, and a water-level hysteresis up to a target water level is imparted as a reference orbit when the measured water level deviates from the predetermined target water level in a reference-orbit setting process 5.例文帳に追加
水位計測工程４にて、水門直上流の水位を計測し、参照軌道設定工程５にて、計測した水位が予め定めた目標水位から外れているときには、目標水位になるまでの水位履歴を参照軌道として与える。 - 特許庁
An electron passing through an opening part of a gate electrode is deflected by deviating positions of a center of an opening part of a cathode mask and a center of an opening part of the gate electrode in a parallel direction to deflect an electron orbit.例文帳に追加
カソードマスクの開口部の中心とゲート電極の開口部の中心の平行方向の位置をずらすことにより、ゲート電極の開口部を通過する電子を偏向させ、電子軌道を傾けることができる。 - 特許庁
When no voltage is applied to the gate electrode 3, the ion outgoing from an ion source 1 is detected by a primary ion detector 5 via the straight line orbit B, resulting in the short-term and high time resolution analysis being achieved.例文帳に追加
ゲート電極３に電圧が印加されないときにはイオン源１から出射されたイオンは直線軌道Ｂを経て第１イオン検出器５で検出されるから、分析時間が短く高い時間分解能を達成できる。 - 特許庁
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「Gate orbit」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
Evaluation functions regarding an error between the reference orbit and a water-level predictor and/or a gate opening as a manipulated variable are determined while using a future specified section as an object in an evaluation-function setting process 6.例文帳に追加
そして、評価関数設定工程６にて、将来の所定区間を対象に、前記参照軌道と水位予測値との誤差または／および操作量であるゲート開度に関する評価関数を定める。 - 特許庁
When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and spin orbit interaction of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction.例文帳に追加
スピンフィルタ１０は、ｙ軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層１２を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル１４にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極１１の下にある二次元電子ガスチャネル１４のスピン軌道相互作用はｙ軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。 - 特許庁
Ions generated by an ion generation source 1 are introduced into an ion trap 2; the ions are selected and cleaved in the ion trap 2 and thereafter the various kinds of fragment ions are extracted from the ion trap 2 and put on an orbit A through an gate electrode 31 in a main flight space 3.例文帳に追加
イオン発生源１で発生させたイオンをイオントラップ２に導入し、イオントラップ２内でイオン選別及びイオン開裂を行った後に各種フラグメントイオンをイオントラップ２から引き出し、主飛行空間３でゲート電極３１を介して周回軌道Ａに乗せる。 - 特許庁
In the time-of-flight mass spectrograph method in which an ion mass electric charge ratio is measured by using a spiral orbit composed of a plurality of laminated electric fields, an ion gate arranged at an upper stream of a detecting unit rejects selectively only the ion having a predetermined mass electric charge ratio.例文帳に追加
複数の積層電場で構成されたらせん軌道を用いてイオンの質量電荷比を測定する飛行時間型質量分析方法において、検出器の上流に置かれたイオンゲートにより、所定の質量電荷比を有するイオンのみを選択的に排除するようにした。 - 特許庁
To provide a spin transistor which can control the upward direction and the downward direction of a carrier spin by the interaction of the Rashba spin orbit and branching of a carrier passage, and which controls the size of a drain current by a gate electrode, by using a superconducting junction where the drain current flows, by depending on a spin polarization degree.例文帳に追加
Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。 - 特許庁
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