GTOとは 意味・読み方・使い方

PRESSURE-WELDING GTO THYRISTOR例文帳に追加

圧接型ＧＴＯサイリスタ - 特許庁

GATE DRIVE APPARATUS OF GTO THYRISTOR例文帳に追加

ＧＴＯサイリスタのゲートドライブ装置 - 特許庁

To reduce spike voltage by reducing stray inductance of a lead for connecting the GTO thyristor having a snubber capacitor, thereby increasing the allowable current of a GTO thyristor.例文帳に追加

GTO サイリスタとスナバコンデンサとの間を接続するリードの漂遊インダクタンスを小さくしてスパイク電圧を低減し、GTO サイリスタの許容電流をより大きくする。 - 特許庁

POWER CONVERSION APPARATUS USING HARD DRIVE GTO例文帳に追加

ハードドライブＧＴＯを用いた電力変換装置 - 特許庁

This temperature measurement method for measuring the junction temperature of a SiC GTO by utilizing the large temperature dependency of the accumulation time ts as the turn off characteristic time of the semiconductor switching element SiC GTO.例文帳に追加

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としての蓄積時間ｔｓは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。 - 特許庁

A temperature detecting circuit 15 existing in an ON gate circuit 8 detects the temperature of the GTO thyristor 1 on the basis of gate-cathode voltage VGE obtained from the gate terminal 2 and the cathode terminal 3a in a monitoring period when a constant current flows to the GTO thyristor 1.例文帳に追加

オンゲート回路８内に存在する温度検出回路１５は、ＧＴＯサイリスタ１に定電流が流れるモニタ期間において、ゲート端子２，カソード端子３ａより得られるゲート−カソード間電圧ＶＧＥに基づき、ＧＴＯサイリスタ１の温度を検出する。 - 特許庁

In this temperature measuring method of the semiconductor device, the joining temperature of SiC GTO is determined by utilizing the fact that a rising time tv of a voltage Vak between an anode and a cathode as a turn-off characteristic time of SiC GTO which is a semiconductor switching element has high temperature dependency.例文帳に追加

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としてのアノード-カソード間電圧Ｖａｋの立ち上がり時間ｔｖは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit capable of suppressing an increase in a negative peak voltage (an absolute value) of a gate voltage during turn-off of a gate turn-off thyrister (SiC-GTO) using a wide gap semiconductor generated by an increase in crystal defect, and capable of preventing the generation of self-ignition by the internal capacitance of the SiC-GTO.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体を用いたゲートターンオフサイリスタ（ＳｉＣ−ＧＴＯ）において、結晶欠陥の増加により生じる、ＳｉＣ−ＧＴＯのターンオフ時におけるゲート電圧の負のピーク電圧（絶対値）の増大を抑制するとともに、ＳｉＣ−ＧＴＯ内部の静電容量による自己点弧を防止するゲート駆動回路を提供すること。 - 特許庁