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gate turn-offとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ゲートターンオフ
「gate turn-off」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 121件
GATE DRIVING DEVICE FOR GATE COMMUTATING TURN-OFF THYRISTOR ELEMENT AND GATE COMMUTATING TURN-OFF THYRISTOR DEVICE例文帳に追加
ゲート転流型ターンオフサイリスタ素子のゲート駆動装置及びゲート転流型ターンオフサイリスタ装置 - 特許庁
GATE COMMAND DEVICE, ELECTRIC MOTOR COMMAND APPARATUS, AND METHOD OF TURN-OFF COMMANDING例文帳に追加
ゲート指令装置、電動機指令機器及びターンオフ指令方法 - 特許庁
To provide a driving circuit of an insulated gate semiconductor device capable of suppressing turn-on surges and turn-off surges.例文帳に追加
ターンオンサージやターンオフサージを抑制できる絶縁ゲート型の半導体装置の駆動回路を提供する。 - 特許庁
The turn-on control means 5 exerts control so as to turn off the switches 8, 10 when the switch 8 is on and the gate-cathode voltage of the turn-off thyristor 14 is negative.例文帳に追加
ターンオン制御手段5は、スイッチ8がオンで且つターンオフサイリスタ14のゲート・カソード電圧が負になったとき、スイッチ8、10をオフさせるように制御する。 - 特許庁
To provide a gate drive circuit for insulated gate semiconductor switching element that can effectively reduce the surge voltage and turn-off loss generated, when semiconductor switching element is turned off.例文帳に追加
半導体スイッチ素子がターンオフする際に発生するサージ電圧とターンオフ損失を、効果的に低減できるようにする。 - 特許庁
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「gate turn-off」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 121件
In this memory display period (period B), a gate-off voltage is applied to turn off the TFT.例文帳に追加
このメモリ表示期間(期間B)中、TFTをオフ状態にするためにゲートオフ電圧を印加する。 - 特許庁
To provide an insulated gate type semiconductor element enabling improvement of the turn-off characteristics thereof without impairing turn-on characteristics.例文帳に追加
ターンオン特性を損なわずに、素子のターンオフ特性を改善できる絶縁ゲート型半導体素子を提供すること。 - 特許庁
To provide a gate commuting turn-off thyristor module in which the resistance component and the inductance component in the route of a gate current are reduced and which is assembled easily.例文帳に追加
ゲート電流の経路の抵抗成分およびインダクタンス成分を低減するとともに、組み立てを容易化する。 - 特許庁
A gate driving device for performing an overvoltage protection operation detects an element current after a turn-off signal is input and varies an overvoltage suppression value according to the current value at the time of turn-off.例文帳に追加
ターンオフ信号が入力されてからの素子電流を検出してターンオフ時の電流値に応じて過電圧抑制値を可変にする。 - 特許庁
The gate threshold voltage is detected at the time of turn-off, a determination is made whether that voltage is higher than a predetermined value or not, and then gate drive conditions such as the gate on resistance at the time of next turn on or the gate on power supply voltage are switched.例文帳に追加
ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。 - 特許庁
To provide a J-FET which can sufficiently turn off by a negative gate bias of a few volts and reduce the capacitance between the gate and drain.例文帳に追加
数Vの負のゲートバイアスで十分オフ状態を実現でき、さらにゲート/ドレイン間の容量を低減できるJFETの提供する。 - 特許庁
To provide an insulated gate transistor driving circuit device capable of making the gate discharge transistor rapidly turn off with a simple circuit.例文帳に追加
簡素な回路によりゲート放電トランジスタのオフを早期化可能な絶縁ゲート型トランジスタ駆動回路装置を提供すること。 - 特許庁
Utilizing a point that full main circuit current iA commutates to a gate driving circuit 2 during its turn-off operation in the GCT thyristor element 1, gate current iG is measured with an off-gate current detecting circuit 25 after the start of turn-off operation to monitor the main circuit current.例文帳に追加
GCTサイリスタ素子1ではそのターンオフ動作中に主回路電流iAの全てがゲート駆動回路2へ転流する点を利用して、ターンオフ開始後にゲート電流iGをオフゲート電流検出回路25で測定し、主回路電流をモニターする。 - 特許庁
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