gate turn-off currentとは 意味・読み方・使い方

The accumulation time ts is from the start of rising time t1 of the gate turn-off current Ig to the starting time t2 to decay of the anode current Ia.例文帳に追加

蓄積時間ｔｓはゲートターンオフ電流Ｉｇの立ち上がり開始時刻ｔ１からアノード電流Ｉａの減衰開始時刻ｔ２までの時間である。 - 特許庁

To prevent an erroneous roll call caused by a voltage change with switching, in a gate driving device for a switch element that does not include an inverse bias power source of a gate voltage but includes a buffer transistor for amplifying a gate current and includes a voltage-driven gate terminal for switching turn-on/turn-off gate resistance.例文帳に追加

ゲート電圧の逆バイアス電源を持たず、ゲート電流を増幅するバッファトランジスタを持ち、およびターンオン・ターンオフ時のゲート抵抗を切り替える電圧駆動型のゲート端子を持つスイッチ素子のゲート駆動装置において、スイッチングに伴う電圧変化による誤点呼を防止できるようにする。 - 特許庁

Accordingly, the rise in the source potential reduces a gate-source voltage Vgs of the transistor Tr to turn off the transistor Tr and reduce the drain current.例文帳に追加

従って、ソース電位が上昇すると、トランジスタＴｒのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが低下し、トランジスタＴｒはオフして、ドレイン電流が減少する。 - 特許庁

When the over-current sense voltage exceeds the 2nd fixed value, the comparator 13b outputs a signal to turn off the gate of the IGBT element 10.例文帳に追加

そして、短絡センス電圧が第２の既定値を超えると、ＩＧＢＴ素子１０のゲートをオフさせるための信号を出力する構成とされている。 - 特許庁

An OR gate 29 turns off a current source 30 when receiving the first or second detection signal to turn off an operating current supplied to a receiver side operational amplifier 23 resulting in bringing the receiver side operational amplifier to a high impedance state.例文帳に追加

ＯＲゲート２９は第１又は第２の検出信号を受けた際電流源３０をオフ状態として、受信側オペアンプ２３に流れる動作電流をオフとして、受信側オペアンプをハイインピーダンス状態とする。 - 特許庁

The battery control circuit 3 shuts off the gate current of the first thyristor S1 to turn off the first thyristor S1 when the battery side earth terminal Earth2 is detached from the ground.例文帳に追加

バッテリ制御回路３は、バッテリ側アース端子Ｅａｒｔｈ２が接地から外れた場合には、第１のサイリスタＳ１のゲート電流を遮断して、第１のサイリスタＳ１をオフする。 - 特許庁

On the other side, the discharge of the charge accumulated in the gate at turn-off of the N-channel MOSFET transistor Tr_u- is performed via a third resistor R7, whereby it regulates di/dt of a turn-off current thereby reducing spike noise.例文帳に追加

一方、ＮチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ−のターンオフの際のゲートに蓄積した電荷の放電は第３の抵抗Ｒ７を介して行なうことで、ターンオフ電流のｄｉ／ｄｔを規制してスパイクノイズを低減する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device which protects a semiconductor switching element from breakage by enabling high-speed turn-on/turn-off, and lighten gate power, and removing misturning-on, in large-current and high- voltage pulse drive.例文帳に追加

大電流・高電圧のパルス駆動において、高速のターンオン・ターンオフができ、ゲートパワーを軽減し、ミスターンオンをなくし、半導体スイッチング素子を破壊から保護するパワー半導体装置を提供する。 - 特許庁