gd-lとは 意味・読み方・使い方

The oxide vapor deposition material is characteristically configured by a sintered body containing gadolinium with a Gd/In atomic ratio of 0.001 to 0.070 and indium oxide as a chief ingredient, and has an L* value of 60 to 94 in CIE1976 color system.例文帳に追加

この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。 - 特許庁

The transistor comprises a fourth electrode 126 so disposed between a gate electrode 122 and a drain electrode 118 as to meet the expression 0.25≤(FP2-D)/L_gd≤0.5, where L_gd is the distance between the gate and drain electrodes, and (FP2-D) is the distance between the drain electrode and the fourth electrode.例文帳に追加

ゲート電極１２２及びドレイン電極１１８との間に位置する第４の電極１２６を具備し、ゲート電極とドレイン電極との距離をＬ_ｇｄとし、かつ、ドレイン電極と第４の電極との距離を（ＦＰ２−Ｄ）としたとき、０．２５≦（ＦＰ２−Ｄ）／Ｌ_ｇｄ≦０．５となるように、第４の電極を配設する。 - 特許庁

A phosphor for vacuum ultraviolet light-excitation is represented by general formula LnMO_4:Eu, wherein Ln is at least one kind of Y and Gd, and M is at least one of P and V, contains an element L which is at least one of rare earth elements except Y, Gd and Eu, and emits light under vacuum ultraviolet light excitation having a wavelength of ≤180 nm.例文帳に追加

一般式ＬｎＭＯ_4：Ｅｕで表され、かつ、Ｙ、Ｇｄ、及びＥｕを除く希土類元素の中の少なくとも１種である元素Ｌを含有し、波長１８０ｎｍ以下の真空紫外線励起下で発光することを特徴とする真空紫外線励起用蛍光体（ただし、式中、ＬｎはＹ及びＧｄの中の少なくとも１種であり、ＭはＰ及びＶの中の少なくとも１種である）。 - 特許庁

When the IN is transited to 'L' level from 'H' level, although an undershoot may arise in a node NDE1 used as the drain via a parasitic capacitance (C_GD) of an NMOS transistor MNH1, it is suppressed by current I1 from the MN4.例文帳に追加

ＩＮが‘Ｈ’レベルから‘Ｌ’レベルに遷移した際には、ＮＭＯＳトランジスタＭＮＨ１の寄生容量（Ｃ_ＧＤ）を介して、そのドレインとなるノードＮＤＥ１にアンダーシュートが生じ得るが、それをＭＮ４からの電流Ｉ１によって抑制する。 - 特許庁