germanium targetとは 意味・読み方・使い方

INDIUM-GERMANIUM VAPOR DEPOSITING TARGET AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲット及びその製造方法 - 特許庁

In an indium-germanium vapor depositing target, the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of germanium and indium, and the average crystal grain size of indium- germanium multiple oxide phases 1 is controlled to ≤30 micron.例文帳に追加

インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットにおいて、該ゲルマニウムの含有量をゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して２〜１２原子％の範囲とし、インジウム−ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径を３０ミクロン以下とする。 - 特許庁

A sintered compact comprising ≥95 wt.% germanium and tungsten is used as a target in a PVD (Physical Vapor Deposition) system.例文帳に追加

９５重量％以上のゲルマニウムとタングステンを含む焼結体をＰＶＤ装置のターゲットとして用いる。 - 特許庁

To provide a sputtering target and a method for producing a sputtering target, the sputtering target having high power-resistant characteristics, and enabling a recording layer of an optical medium containing as a principal component magnesium oxide or germanium oxide with bismuth oxide to be deposited at high speed.例文帳に追加

酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, in the method for producing the indium-germanium vapor depositing target, germanium and indium are mixed and stirred in such a manner that the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of both the elements to produce a mixture, and this mixture is sintered in the temp. range of 900 to 1400°C.例文帳に追加

またインジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットの製造方法において、ゲルマニウムとインジウムとをゲルマニウムが両元素の合計量に対して２〜１２原子％の範囲となるよう混合・撹拌して混合物を製造し、該混合物を９００〜１４００℃の温度範囲で焼結する。 - 特許庁

A substrate 2 comprises a first silicon layer 3 and a target layer 1 made of a silicon-germanium alloy-base material forming a three-dimensional pattern including first and second securing areas and at least one connecting area.例文帳に追加

基板２は、第１シリコン層３と、第１及び第２固定領域と少なくとも１つの接続領域を含む３次元パターンを形成するシリコンゲルマニウム合金系材料からなるターゲット層１を備える。 - 特許庁

In the sintered compact target for producing an indium oxide based transparent electrically conductive film, a coexistent germanium element is allowed to enter into solid solution in the indium site of indium oxide with a bixbyte type crystal structure.例文帳に追加

本発明の酸化インジウム系透明導電性薄膜作製用燒結体ターゲットは、共存するゲルマニウム元素がビックスバイト型結晶構造の酸化インジウムのインジウムサイトに固溶していることを特徴としてもつ。 - 特許庁