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growth temperatureとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 成長温度; 増殖温度; 生育温度


JST科学技術用語日英対訳辞書での「growth temperature」の意味

growth temperature


「growth temperature」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 736



例文

VAPOR GROWTH DEVICE, METHOD FOR DETECTING TEMPERATURE OF VAPOR GROWTH DEVICE, AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF VAPOR GROWTH DEVICE例文帳に追加

気相成長装置および気相成長装置の温度検出方法ならびに温度制御方法 - 特許庁

In a process S108, the temperature of the growth furnace 10 is changed to a growth temperature T_B from the growth temperature T_W before the barrier layer is grown.例文帳に追加

工程S108では、障壁層を成長する前に成長温度T_Wから成長温度T_Bに成長炉10の温度を変更する。 - 特許庁

Preferably, a growth temperature during a growth start of the blocking layer may be below a temperature obtained by adding 100°C to an active region growth temperature.例文帳に追加

好ましくはブロッキング層の成長開始時における成長温度が活性領域成長温度に100℃を加えた温度以下である。 - 特許庁

Regarding the crystal growth condition of the non-vertical growth part 4, crystal growth temperature is 990°C; crystal growth rate is 0.8 μm/min; and supply gas flow ratio (V/III ratio) is 5,000.例文帳に追加

結晶成長温度 : 990〔℃〕 結晶成長速度 : 0.8〔μm/min〕 供給ガス流量比(V/III 比): 5000 - 特許庁

a period of growth in organisms, called the {temperature sensitine} period発音を聞く 例文帳に追加

生物の発育過程での,感温期という時期 - EDR日英対訳辞書

the condition of the nature of growth being affected by temperature発音を聞く 例文帳に追加

動植物の生育が温度によって影響される性質 - EDR日英対訳辞書

例文

TEMPERATURE CONTROL METHOD OF EPITAXIAL GROWTH APPARATUS例文帳に追加

エピタキシャル成長装置の温度管理方法 - 特許庁

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「growth temperature」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 736



例文

VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH SYSTEM AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD例文帳に追加

気相成長装置および基板温度測定方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

半導体の低温化結晶成長法 - 特許庁

We need to maintain an optimum temperature for the growth.例文帳に追加

培養には最適温度を保つ必要があるので - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Although the growth temperature of the 1st upper guide layer 106 is 650°C, the rise of the growth temperature is started simultaneously with the growth of the layer 106, gradually increased up to the end of growth and reached 750°C at the end of growth.例文帳に追加

この第一上ガイド層106の成長温度は、成長開始時は650℃であるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に750℃にする。 - 特許庁

ICE CRYSTAL GROWTH SUPPRESSING AGENT, ICE CRYSTAL GROWTH ONSET TEMPERATURE LOWERING AGENT, AND WATER COAGULATION CONTROLLING AGENT例文帳に追加

氷結晶成長抑制剤、氷結晶成長開始温度低下剤、及び水の凝固コントロール剤 - 特許庁

The growth temperature is varied while the intermediate layer is grown to unnecessitate growth interruption.例文帳に追加

中間層を成長している間に成長温度を変化させ、成長中断を不要にする。 - 特許庁

The growth temperature (T1) of the Al_X2Ga_1-X2N (0≤X2≤1) layer 19 is lower than the growth temperature (T2) of the GaN layer 23.例文帳に追加

Al_X2Ga_1−X2N(0≦X2≦1)層19の成長温度(T1)はGaN層23の成長温度(T2)よりも低い。 - 特許庁

例文

The growth temperature TW is the same as the growth temperature TB and may be in the range of 760 to 800°C.例文帳に追加

成長温度TWは成長温度TBと同じであり、また摂氏760度以上摂氏800度以下の範囲であることができる。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る

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