growth temperatureとは 意味・読み方・使い方

VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH SYSTEM AND SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD例文帳に追加

気相成長装置および基板温度測定方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF SEMICONDUCTOR AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

半導体の低温化結晶成長法 - 特許庁

Although the growth temperature of the 1st upper guide layer 106 is 650°C, the rise of the growth temperature is started simultaneously with the growth of the layer 106, gradually increased up to the end of growth and reached 750°C at the end of growth.例文帳に追加

この第一上ガイド層１０６の成長温度は、成長開始時は６５０℃であるが、成長と同時に成長温度の上昇を開始して、成長終了時まで徐々に昇温して、成長終了時に７５０℃にする。 - 特許庁

ICE CRYSTAL GROWTH SUPPRESSING AGENT, ICE CRYSTAL GROWTH ONSET TEMPERATURE LOWERING AGENT, AND WATER COAGULATION CONTROLLING AGENT例文帳に追加

氷結晶成長抑制剤、氷結晶成長開始温度低下剤、及び水の凝固コントロール剤 - 特許庁

The growth temperature is varied while the intermediate layer is grown to unnecessitate growth interruption.例文帳に追加

中間層を成長している間に成長温度を変化させ、成長中断を不要にする。 - 特許庁

The growth temperature (T1) of the Al_X2Ga_1-X2N (0≤X2≤1) layer 19 is lower than the growth temperature (T2) of the GaN layer 23.例文帳に追加

Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９の成長温度（Ｔ１）はＧａＮ層２３の成長温度（Ｔ２）よりも低い。 - 特許庁

The growth temperature TW is the same as the growth temperature TB and may be in the range of 760 to 800°C.例文帳に追加

成長温度ＴＷは成長温度ＴＢと同じであり、また摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲であることができる。 - 特許庁

To provide vapor growth equipment or a vapor growth method, which enables effectively vapor growth of a uniform semiconductor film excellent in crystallinity on a substrate, when vapor growth of a large substrate or simultaneous vapor growth of a plurality of substrates is performed, and when a vapor growth temperature is set at a high temperature and vapor growth is performed, in vapor growth using a horizontal type reaction tube.例文帳に追加

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。 - 特許庁