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growth temperaturesとは 意味・読み方・使い方
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「growth temperatures」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
To suppress bacterial growth in alkaline water and acidic water having relatively high temperatures.例文帳に追加
比較的高温のアルカリ水や酸性水において菌の繁殖を抑制する。 - 特許庁
When the stone chamber was opened to allow people to enter, there was grave concern about damages to the mural paintings due to environmental changes, such as varied temperatures and humidity conditions, the growth of fungi, and insects and other creatures.発音を聞く 例文帳に追加
石室が開口され、人が入り込むことによって温湿度などの環境変化、カビ、虫などの生物による壁画の劣化が懸念された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In the above-mentioned window layer, a GaP layer grows at temperatures equal to 730°C or higher , the growth rate is equal to 7.8 μm per hour or greater, and the dopant is zinc.例文帳に追加
また、上記の窓層は、GaP層を730°以上の温度で成長し、その成長速度を毎時7.8μm以上、そのドーパントを亜鉛とする。 - 特許庁
By this method, a high-quality growth layer of a PbTe compound semiconductor can be obtained which generates no precipitation of interstitial atoms at low temperatures.例文帳に追加
低温で格子間原子の析出を生じない高品位のPbTe系化合物半導体の成長層が得られる。 - 特許庁
To provide a self-revolution type vapor growth system capable of equalizing temperatures of a plurality of substrates.例文帳に追加
自公転型の気相成長装置において、複数の基板の温度を均一化することができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁
The electrode material has excellent resistance to oxidation at high temperatures achieved by containing Y to inhibit the growth of grains at high temperatures, reducing Al and Si to inhibit the expansion, cracking, and peeling of an oxide layer, and containing Ti to inhibit internal oxidation.例文帳に追加
この電極材料は、Yの含有による高温下での粒成長の抑制、Al,Siの低減による酸化物層の膨張・亀裂・剥離の抑制、かつTiの含有による内部酸化の抑制などにより、耐高温酸化性に優れる。 - 特許庁
The recessed part whose sidewall is oblique is formed by being grown while a growth temperature of the second nitride semiconductor device is gradually lowered, and then is etched by using etchants with different etching rates depending on the growth temperatures.例文帳に追加
側壁が斜めの凹部は、第2の窒化物半導体装置の成長温度を徐々に低くしながら成長させ、その後、成長温度に応じてエッチングレートが異なるエッチング液を使用してエッチングして形成する。 - 特許庁
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「growth temperatures」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
A crystal growth setup within a physical vapor transport growth furnace system for producing an AlN monocrystal boule 8 at high temperatures includes a crucible 6 effective to contain an AlN source material 7 and a growing AlN crystal boule 8.例文帳に追加
高温でAlN単結晶ブール8を生成するための物理的気相輸送成長炉システム内部の結晶成長セットアップが、AlN原材料7及び成長するAlN結晶ブール8を含むのに効果的な坩堝6を含む。 - 特許庁
The method comprises controlling growth conditions, such as growth velocity v, instantaneous axial temperature gradient G_o, and the cooling rate, within a range of temperatures at which silicon self-interstitials are mobile, in order to prevent the formation of the agglomerated defects.例文帳に追加
本発明の方法は、シリコン自己格子間物が移動性である温度範囲内で、成長条件、例えば成長速度v、瞬時軸温度勾配G_0、および冷却速度を、凝集欠陥を形成しないように調節することを含んでなる。 - 特許庁
To provide a temperature controller for vinyl houses capable of optimally and automatically controlling the temperatures in a vinyl house depending on the growth of plants and using the previous setting when cultivating the same farm crop as before.例文帳に追加
農作物の成長に合わせてビニールハウス内の温度を最適に自動制御することができ、前回と同じ農作物を栽培する際に前回の設定を使用することができるビニールハウス用温度制御装置を提供する。 - 特許庁
To enhance toughness and strength at high temperatures by adding secondary particles which inhibit grain growth to a material based on zirconia using MgO or CaO as a stabilizer.例文帳に追加
MgOあるいはCaOを安定化剤として用いるジルコニアをベースとした材料に粒成長を抑制する第2粒子を添加することにより高温における靭性および強度を高めること。 - 特許庁
To provide a vapor-phase growth device that effectively raises temperatures of both a substrate and a gaseous starting material, is further reducible in power consumption, and forms a semiconductor film of more uniform and higher quality.例文帳に追加
基板と原料ガスとの双方の温度を効果的に上げることができ、消費電力を更に低減できるとともに、より均一で高品質な半導体膜を形成できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁
Since the grain growth of the titania is inhibited even after enduring at high temperatures, the decrease in the number and area of interfaces between the grain and the porous oxide such alumina is prevented.例文帳に追加
高温耐久後にもチタニアの粒成長が抑制されるため、アルミナなどの多孔質酸化物との界面の数及び面積の低下が防止される。 - 特許庁
To provide a method of forming an insulation film for semiconductor devices, especially, a tantalum oxide film for gate insulation films and capacitance insulation films, etc. of semiconductor devices, which has a high reaction speed even at low growth temperatures and a high productivity.例文帳に追加
成長温度が低温でも反応速度が早く、生産性の高いゲート絶縁膜やキャパシタンスの容量絶縁膜等に用いられる半導体装置用絶縁膜、特に酸化タンタル膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide steel for carburization under reduced pressure with which abnormal crystal grain growth occurring when applying carburization treatment at high temperatures by introducing carburizing gas in the reduced pressure atmosphere can be reliably prevented.例文帳に追加
減圧化された雰囲気内に浸炭ガスを導入して高温浸炭処理する場合に発生する結晶粒の異常粒成長を確実に防止できる減圧浸炭用鋼の提供。 - 特許庁
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