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hydride phaseとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 水素化物相
「hydride phase」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
PRODUCTION OF METAL HYDRIDE, UTILIZING POWDER-POWDER SOLID PHASE EXOTHERMIC REACTION例文帳に追加
粉体間固相発熱反応を利用する金属水素化物製造法 - 特許庁
GROWTH OF PLANAR NONPOLAR GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE-VAPOR PHASE GROWING METHOD例文帳に追加
ハイドライド気相成長法による平坦な無極性窒化ガリウムの成長 - 特許庁
HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
ハイドライド気相成長装置および半導体基板の製造方法 - 特許庁
In the hydrogen storage alloy consisting of two or more phases, at least one phase is a stable hydride formation phase comprising one or more kinds of stable hydride formation elements reacted with hydrogen so as to form stable hydride.例文帳に追加
二相以上からなる水素吸蔵合金において、その少なくとも一相を、水素と反応して安定な水素化物を生成する安定水素化物生成元素を一種以上含む安定水素化物生成相とする。 - 特許庁
As for the stable hydride formation phase, in the observed cross-sectional structure, the diameter of minor axis is ≤5 μm and the phase is dispersed at the intervals of ≤1 μm, and the phase is further separated since the one or more stable hydride formation elements form hydride.例文帳に追加
この安定水素化物生成相は、観察された断面組織において、短軸径が５μｍ以下であり、かつ１μｍ以下の間隔で分散し、安定水素化物生成元素が水素化物を生成したことによりさらに分相されている。 - 特許庁
There are many crystal grain boundaries since the stable hydride formation phase is separated.例文帳に追加
安定水素化物生成相は、分相されているため、結晶粒界が多い。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING CRACK-FREE GALLIUM NITRIDE THICK FILM BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD例文帳に追加
ヒドリド気相エピタクシー成長法による無クラックガリウムナイトライド厚膜の製造方法 - 特許庁
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「hydride phase」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
GAS-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURE THEREOF AND HYDRIDE GAS- PHASE EPITAXY DEVICE例文帳に追加
気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置 - 特許庁
HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
ハイドライド気相成長装置、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁
To provide a high-yield catalyst for manufacturing a dicarboxylic acid anhydride from 4C or more carbon hydride by a gas phase-catalytic-oxidation reaction.例文帳に追加
炭素数４以上の炭化水素から気相接触酸化反応によりジカルボン酸無水物を製造するための高収率の触媒を提供すること。 - 特許庁
A gallium nitride material is grown by an HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth) method.例文帳に追加
ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。 - 特許庁
The hydrogen storage material is composed of metal particulates having a particle diameter of less than the critical particle diameter to suppress the formation of a hydride phase.例文帳に追加
水素化物相の形成を抑制する限界粒子径未満の粒子径を備える金属微粒子からなる。 - 特許庁
GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYER AND HVPE (HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY) FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加
高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びＨＶＰＥを使用する成長法 - 特許庁
Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加
そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁
A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加
厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁
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