inactive edgeとは 意味・読み方・使い方

A Bs value calculating section 63 forcibly sets a Bs value in the target edge of the current block at "0" without reading a motion vector in response to the inactive memory access enable signal and the inactive copy enable signal from the access determination section 57.例文帳に追加

Ｂｓ値演算回路６３は、アクセス判定部５７からの非アクティブのメモリアクセスイネーブル信号及び非アクティブのコピーイネーブル信号に応じて、動きベクトルを読み出すことなくカレントブロックの対象エッジにおけるＢｓ値を強制的に「０」に設定する。 - 特許庁

A Bs value setting section 50 is provided with an access determination section 57 for allowing a memory access enable signal and a copy enable signal to become inactive when a target edge of a current block does not belong to a variable block boundary.例文帳に追加

Ｂｓ値設定部５０は、カレントブロックの対象エッジが可変ブロック境界に属していない場合に、メモリアクセスイネーブル信号及びコピーイネーブル信号を非アクティブにするアクセス判定部５７を備える。 - 特許庁

In the laminate 2, a part where the internal electrodes 4A, 4B are overlapped in a lamination direction is an active section P, and a part (an edge at both the sides of the laminate 2) where the internal electrodes 4A, 4B are overlapped in a lamination direction is an inactive section Q.例文帳に追加

積層体２において、内部電極４Ａ，４Ｂが積層方向に重なり合っている部分は活性部Ｐとなっており、内部電極４Ａ，４Ｂが積層方向に重なり合っていない部分（積層体２の両側端部）は不活性部Ｑとなっている。 - 特許庁

In the display panel, a substrate-to-substrate peripheral edge formed by two opposed substrates is sealed by a seal part, its internal space is kept in a pressure reduced or inactive gas atmosphere, and a barrier layer is provided on the outside of the seal part.例文帳に追加

本発明の表示パネルは、対向する２枚の基板によって構成される基板間周縁部をシール部によって封着し、その内部空間が減圧または不活性ガス雰囲気に維持され、シール部の外側にバリア層を設けたことを特徴としている。 - 特許庁

The pattern edge of a discharge inactive membrane 22 is formed at a position near the bus-bar portion b side or at the position at a distance of 50 μm or more from the electrode part fb, and the line width of the portion of the address electrode W facing the membrane 22 is narrower than the portion of the electrode YG facing the electrode part fp.例文帳に追加

放電不活性膜２２のパターンエッジは、母線部ｂ側に近い位置か、電極部ｆｐから５０μｍ以上の距離を隔てた位置に設けられ、アドレス電極Ｗの膜２２に対面する部分の線幅は、電極ＹＧの電極部ｆｐに対面する部分よりも細い。 - 特許庁

A redundant circuit is previously connected to another circuit via a fuse 3 formed of Al wiring, and when a normal circuit becomes partially defective, a defective circuit is replaced by a redundant circuit isolated by cutting off the fuse 3, to ensure a semiconductor integrated circuit device of normal operations, where the cut edge face of the cut fuse 3 is formed of an inactive compound 21.例文帳に追加

冗長回路をＡｌ配線からなるヒューズ３を介して別回路に予め接続しておき、正規回路が部分的に不良回路となった場合には、ヒューズ３を切断して分離した冗長回路を不良回路に代替して正常動作を確保する半導体集積回路装置において、切断したヒューズ３の切断端面を、不活性な化合物２１で構成する。 - 特許庁