indium chalcogenideとは 意味・読み方・使い方

The ultra-high density data storage medium is composed of one or more semiconductor films each containing the semiconductor compound selected from the group composed of an indium chalcogenide, a gallium chalcogenide, and an indium-gallium chalcogenide.例文帳に追加

本発明の超高密度データ記憶媒体は、インジウムカルコゲニドと、ガリウムカルコゲニドと、インジウム−ガリウムカルコゲニドから選択された半導体化合物を含む１以上の半導体フィルムから製造されることを特徴とする。 - 特許庁

This sputtering target comprises 10-30 mol% silicon dioxide, 0.5-30 mol% indium oxide and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、酸化インジウム：０．５〜３０モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for formation of an optical logging protection film which is made of zinc chalcogenide/silicon dioxide/indium oxide- based sintered compact and is capable of DC sputtering.例文帳に追加

直流スパッタリング可能なカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel.例文帳に追加

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁

This target has a composition containing silicon dioxide of 10 to 30 mol%, one or two kinds of indium-tin multiple oxide and antimony-tin multiple oxide by 5 to 35 mol% in total, and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか１種または２種を合計で５〜３５モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。 - 特許庁

At least one kind of metal chalcogenide selected from titanium, tin, zinc, iron, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt and nickel is preferably included as the semiconductor.例文帳に追加

半導体としてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブテン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。 - 特許庁

It is preferable for the semiconductor to contain at least one kind of metal chalcogenide chosen from titanium, tin, zinc, iron, copper, tungsten, zirconium, hafnium, strontium, indium, cerium, yttrium, lanthanum, vanadium, niobium, tantalum, cadmium, lead, silver, antimony, bismuth, molybdenum, aluminum, gallium, chromium, cobalt, and nickel.例文帳に追加

半導体はチタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも一種以上含むことが好ましい。 - 特許庁