inter-grownとは 意味・読み方・使い方

Consequently, a LOCOS oxide film 40A is grown as an inter-element separating film in the region where the silicon nitride film 20A does not exist on the front surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には、シリコン窒化膜２０Ａのない領域でＬＯＣＯＳ酸化膜４０Ａが成長し、素子間分離膜として形成される。 - 特許庁

This cut-out shape of the inter-vane part 65 relieves the turbulent vortices grown by collision of a gas flow Z1 with the main plate 61 and convergence of flows immediately before the grown vortices reach the vanes 33, which should lessen the noise emission.例文帳に追加

この翼間部６５が切り欠かれた形状により、気体流れＺ１の主板６１への衝突と流れの合流とによって発達した乱れ渦は、翼３３に到達する直前にその一部が軸方向外側に逃がされるため、騒音を小さくできる。 - 特許庁

The oxide film 9 grown outside of the trench 7 is patterned and left as an oxide film 29, whereby an inter-wiring dielectric strength can be locally improved.例文帳に追加

また、トレンチ内部以外に成長した酸化膜９をパターニングして酸化膜２９のように残すことにより、局所的に配線間絶縁耐圧を向上させることも可能である。 - 特許庁

A resist pattern 22 is formed on a metal substrate 21, and then a conductor 23 which becomes an electrode is grown by plating at a resist opening part to form an electrode, such that the ratio of the electrode thickness to an inter-electrode distance is ≥1, thereby obtaining the electrode of the Peltier element.例文帳に追加

金属基板２１上にレジストパターン２２を作成し、その後レジスト開口部に電極となる導体２３をメッキ法により成長させ、電極厚の電極間距離に対する比が１以上である電極を作成し、ペルチェ素子の電極とする。 - 特許庁

An initial silicon wafer used for the production is manufactured from a single crystal silicon ingot pulled and grown by a CZ (Czockralski) method for instance, and an inter-grating oxygen concentration [Oi] within a crystal is 1.0 to 1.8×10^18 atoms/cm^3 for instance.例文帳に追加

作製に使用される初期のシリコンウェーハは、例えばＣＺ法により引上げ育成した単結晶シリコニンゴットから製造されたものであり、結晶内の格子間酸素濃度［Ｏｉ］が例えば１．０〜１．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のものである。 - 特許庁

In the trench forming a trench gate structure, an inter-diffusion-layer isolation insulating film is selectively wet etched to a diffusion layer so that the diffusion layer is projected, and the projected diffusion layer is selectively epitaxially grown so that the projected portion of the diffusion layer forms an eaves structure.例文帳に追加

溝ゲート構造となる溝内において、拡散層間分離絶縁膜を拡散層に対して選択的にウェットエッチングして拡散層が突出部した構造を形成し、さらに突出した拡散層を選択エピタキシャル成長させることで拡散層の突出部に庇状の構造を形成する。 - 特許庁

The silicon wafer manufacturing method is characterized in that a silicon single-crystal bar, whose resistivity is 100 Ω.cm or more and initial inter-lattice-oxygen concentration is 5 to 10 ppma, is grown by a Chokralski method, the single-crystal silicon bar is worked as a wafer, and the wafer is treated by quick heating and quick cooling.例文帳に追加

シリコンウエーハの製造方法において、チョクラルスキー法により、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上で初期格子間酸素濃度が５〜１０ｐｐｍａのシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工し、該ウエーハに急速加熱・急速冷却熱処理を行なうことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。 - 特許庁