inter al.とは 意味・読み方・使い方

The distance between the both electrodes 3, 4 is determined by a height of an uneven part of the Al plate 1a to serve as a prescribed inter-electrode distance, and a stable ionization current can be obtained thereby.例文帳に追加

Ａｌ板１ａの凹凸の高さにより、両電極３、４間の距離が決定され、これが、所定の電極間距離となって安定した電離電流が得られる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 10 is constituted by forming a ZnO piezoelectric thin film 2 on an R-surface sapphire substrate 1 by sputtering, etc., and further forming a chirp type inter-digital electrode 3 of an Al film on the ZnO piezoelectric thin film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上に、ＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上に、Ａｌ膜からなるチャープ型のインターデジタル電極３を形成してなるものである。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus by which short circuit between inter-wirings having a fine interval is prevented by suppressing the invasion of foreign matter into a lamination structure part in an Al alloy wiring, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, and the semiconductor device utilizing it.例文帳に追加

Ａｌ合金配線における積層構造部への異物の発生を抑え、微細な間隔の配線間ショートを防止する半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びこれを利用した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Contacts 110a-110e piercing the inter-layer films 107, 109 are provided in contact with the side faces of the Al layer 108 on the gates 106 and the diffused layer 105 and a conductive substance is buried in these contacts.例文帳に追加

ゲート１０６及び拡散層１０５上には、層間膜１０７，１０９を貫通し、かつ第１のアルミニウム層１０８の側面に接するようにしてコンタクト１１０ａ〜１１０ｅが設けられ、これらコンタクト内には導電物質が埋設される。 - 特許庁

The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加

これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁

Since the inter-lattice distance of the AlN crystal layer 80 substantially agrees with the lattice constant intrinsic of AlN crystal, the Al crystal layer 80 contains no distortions caused by the difference in lattice constant with the Si substrate 1 as in the case when lattice matches the Si substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ結晶層８０の格子間距離は、ＡｌＮ結晶体本来の格子定数にほぼ一致するので、Ｓｉ基板１と格子整合している場合のように、Ａｌ結晶層８０には、Ｓｉ基板１との格子定数の相違に起因する歪みが内在することがない。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁