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「inverted spin」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
It strikes in this inverted position and does not spin.発音を聞く 例文帳に追加
反転させながら打つが、回転させるわけではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
By this, the spin of a tag area RG_A1 as selected area is inverted and the tag is attached.例文帳に追加
これにより、領域選択されたタグ領域ＲＧ_Ａ１のスピンが反転しタグ付けされる。 - 特許庁
To decrease a critical value at which magnetism of a free layer of a magnetic spin polarization device is inverted.例文帳に追加
磁気スピン極性化装置の自由層において磁化の逆転を生じる臨界値を低減する。 - 特許庁
As a result, the spin of a tag region RGA1 as selected region is inverted and a tag is attached.例文帳に追加
これにより、領域選択されたタグ領域ＲＧ_Ａ１のスピンが反転しタグ付けされる。 - 特許庁
By this, the spin of a tag area RG_A1 as selected area is inverted and the tag is attached.例文帳に追加
これにより、領域選択されたタグ領域ＲＧ_Ａ１のスピンが反転しタグ付けされる。 - 特許庁
Thus, the spin of a tag region RG_A1 which is region-selected is inverted, and the tag attachment is performed.例文帳に追加
これにより、領域選択されたタグ領域ＲＧ_Ａ１のスピンが反転しタグ付けされる。 - 特許庁
To provide a magnetic random access memory realized by application of inverted spin torque magnetization with a small write current value.例文帳に追加
書込み電流値の小さなスピントルク磁化反転を応用した磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁
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「inverted spin」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
To provide a spin injection inverted magnetization element for enabling multi-level recording by controlling increase in resistance thereof.例文帳に追加
素子の抵抗増加を抑制して多値記録を可能とするスピン注入磁化反転素子を提供する。 - 特許庁
CARRIER SPIN INJECTED INVERTED MAGNETIZATION MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT USING THE FILM, AND MEMORY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加
キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置 - 特許庁
Then, by applying an inversion pulse to each of the two areas, magnetic resonance signals are suppressed by inverting longitudinal magnetization of a spin once for the non-overlapping area, and the longitudinal magnetization of a spin is inverted twice to be practically returned to the original for the overlapping area W1.例文帳に追加
次に、上記２つの領域にインバージョンパルスをそれぞれ印加することにより、上記非重複領域については、スピンの縦磁化を１回反転させて磁気共鳴信号を抑制し、上記重複領域Ｗ１については、スピンの縦磁化を２回反転させて実質的に元に戻す。 - 特許庁
To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加
書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁
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