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is fetとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 イオン感応性電界効果トランジスタ（イオンかんのうせいでんかいこうかトランジスタ）とは、溶液中の特定イオンに選択的に応答し、その濃度に対応する電気信号を出力するセンサである。
「is fet」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1567件
The gate of the FET (MP2) is connected to a contact A1 between the FET (MP1) and the FET (MN1).例文帳に追加
ＦＥＴ（ＭＰ１、ＭＮ１）の接点Ａ１にはＦＥＴ（ＭＰ２）のゲートが接続されている。 - 特許庁
The gate of the FET (MP1) is connected to a contact B1 between the FET (MP2) and the FET (MN2).例文帳に追加
ＦＥＴ（ＭＰ２、ＭＮ２）の接点Ｂ１にはＦＥＴ（ＭＰ１）のゲートが接続されている。 - 特許庁
The drain of the FET 31 is connected to the drain of the FET 32.例文帳に追加
ＦＥＴ３１のドレインは、ＦＥＴ３２のドレインに接続してある。 - 特許庁
The gate of the FET is connected to the collector of a transistor via a resistor.例文帳に追加
FETのゲートは抵抗を介してトランジスタのコレクタに接続される。 - 特許庁
A BSIM parameter can be adjusted so that a calculated value is outside the set values for models of the BEST-FET and WORST-FET.例文帳に追加
BEST-FET、WORST-FETのモデルについてはモデルの計算値が設定値より外側になるようにＢＳＩＭパラメータを調整することが可能である。 - 特許庁
When the circuit 13 is turned off, no voltage is generated at the drain side of the other FET connected to the circuit section 13 since the FET is turned off even if the back electromotive force of a motor due to the external force of an operator is applied to the source side of the FET.例文帳に追加
回路部13がオフの時は操作者の外力によるモータの逆起電力がFETのソース側に印加されてもFETはオフのため回路部13に接続されている他のFETのドレイン側には電圧が発生しない。 - 特許庁
A voltage to be obtained by a drain current of the FET (M61) is fed back to the gate of the FET (M63), and the variations of the threshold voltage of the FET (M61) is detected by an FET (M64) equally connected to the FET (M63).例文帳に追加
ＦＥＴ（Ｍ61）のドレイン電流により得られる電圧をＦＥＴ（Ｍ63）のゲートに帰還するとともに、このＦＥＴ（Ｍ63）と等しく接続されたＦＥＴ（Ｍ64）により、ＦＥＴ（Ｍ61）のスレッショールド電圧のばらつきを検出する。 - 特許庁
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「is fet」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1567件
A pixel circuit 12 is composed of a capacitor 9, an inverter 1, an FET 2, an FET 3, an FET 4, a light emitting element 5 composed of a light emitting diode, etc., an FET 6, an FET 7, a capacitor 9, and a capacitor 10.例文帳に追加
ピクセル回路１２は、キャパシタ９、インバータ１、ＦＥＴ２、ＦＥＴ３、ＦＥＴ４、発光ダイオード等による発光素子５、ＦＥＴ６、ＦＥＴ７、キャパシタ９、キャパシタ１０で構成される。 - 特許庁
After a flyback pulse is generated, the second FET 32 is turned on, and further, after the second FET 32 has been turned off, the first FET 14 is turned on.例文帳に追加
フライバックパルス発生後、第２のＦＥＴ３２をオンにし、さらに第２のＦＥＴ３２をオフにした後、第１のＦＥＴ１４をオンにする。 - 特許庁
When the FET 5 is turned on, a capacitor 6 is charged with a voltage Vcc via the FET 5.例文帳に追加
ＦＥＴ５がオンとなると、このＦＥＴ５を介してコンデンサ６に電圧Ｖccが充電される。 - 特許庁
The FET (MN1) is connected to the FET (MP1), and a signal IN1 is supplied to the gate thereof.例文帳に追加
ＦＥＴ（ＭＮ１）は、ＦＥＴ（ＭＰ１）に接続され、そのゲートに信号ＩＮ１が供給される。 - 特許庁
The FET (MN2) is connected to the FET (MP2), and a signal IN2 is supplied to the gate thereof.例文帳に追加
ＦＥＴ（ＭＮ２）は、ＦＥＴ（ＭＰ２）に接続され、そのゲートに信号ＩＮ２が供給される。 - 特許庁
A post is provided around an FET, and a shield metal supported by the post is provided on the FET.例文帳に追加
ＦＥＴの周りにポストを設け、ポストに支えられたシールドメタルをＦＥＴ上に設ける。 - 特許庁
When an FET is identified, a P/N ratio is calculated for every possible input combination.例文帳に追加
FETが識別されると、可能性のある全ての入力の組合せについてP/N比が計算される。 - 特許庁
To actualize a deep trench MOS FET which is high in breakdown voltage and is reducible in ON resistance.例文帳に追加
耐圧が高く、オン抵抗のより低減化が可能なディープトレンチMOS FETを実現する。 - 特許庁
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