lattice misfitとは 意味・読み方・使い方

This semiconductor device forms many layers of oxide thin film with changed composition so that they may obtain the lattice constant of an oxide dielectric crystal to be formed finally, and it gradually changes the lattice constant of a semiconductor substrate from the lattice constant of a semiconductor thin film to that of the oxide dielectric crystal to reduce misfit dislocation.例文帳に追加

また、GaAsやInP基板上ではこれらの結晶のLiNbO_3結晶と格子定数がSi基板以上に離れているため、高品質な薄膜を形成することは、非常に困難である。 - 特許庁

To reduce a longitudinal direction resistance between the source electrode and drain electrode of a high electron mobility transistor manufactured by a wafer by clearing the lattice misfit of the epitaxial wafer for the high electron mobility transistor.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ用エピタキシャルウェハの格子不整合を解消して、このウェハから作製される高電子移動度トランジスタのソース電極−ドレイン電極間の縦方向抵抗を低減する。 - 特許庁

AlGaN of high Al composition can be grown without a crack in an AlGaN/InGaN based layer having high hole concentration and large lattice misfit in the thus-obtained p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

このようにして得られたｐ型窒化物半導体層は、正孔濃度が高く、大きな格子不整合を有するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ系においてもクラックを生じることなく、高いＡｌ組成のＡｌＧａＮを成長することができる。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor element that prevents lattice defects, such as misfit dislocation and through dislocation, from occurring easily and can obtain a high quality crystal, and also improves heat dissipation characteristics of a substrate.例文帳に追加

ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。 - 特許庁

A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁

A crystalline nucleus 14 of non-dislocation is subjected to heteroepitaxial growth on the main surface 12 of a substrate 10 so that it may be smaller than critical size wherein misfit dislocation occurs because of lattice mismatch.例文帳に追加

基板１０の主面１２に、格子不整合によりミスフィット転位が発生する臨界サイズより小さく、無転位の結晶核１４をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element.例文帳に追加

格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。 - 特許庁