lattice-matchedとは 意味・読み方・使い方

Lattice constants of the first and second Si_1-xGe_x (0≤x≤1) layers 14a, 14b and 14c are matched with lattice constants of the first and second material layers 15, 16 and 17 on them.例文帳に追加

第１、第２のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層層１４ａ，１４ｂ，１４ｃの格子定数はその上の第１、第２の材料層１５，１６，１７の格子定数に整合されている。 - 特許庁

In the first magnesium oxide film 13A, there partially exists a first lattice matching portion P lattice-matched with both of the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A.例文帳に追加

第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 - 特許庁

An energy band gap of the contact layer is greater than at least that of the photoelectric conversion layer, and the contact layer is lattice-matched with the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

コンタクト層のエネルギーバンドギャップは少なくとも光電変換層のエネルギーバンドギャップより大きく、また、コンタクト層は光電変換層と格子整合している。 - 特許庁

An undope AlAs layer 4 as a tunnel layer and a metal thin film NiA 5 lattice- matched with the AlAs layer 4 are continuously epitaxially grown on the n+- GaAs layer 3.例文帳に追加

ｎ^+-ＧaＡs層３上に、トンネル層としてのノンドープＡlＡs層４とこのＡlＡs層４に格子整合した金属薄膜ＮiＡ５とを連続的にエピタキシャル成長する。 - 特許庁

The n-side clad layer 3 in the semiconductor laser 1 has a four element material of In, Ga, As and P lattice matched to InP and has a composition wavelength of 0.96-0.98 μm.例文帳に追加

この半導体レーザ１におけるｎ側クラッド層３は、ＩｎＰに格子整合したＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの４元材料を有し、その組成波長が０．９６〜０．９８μｍである。 - 特許庁

The optical circuit device has a substrate 10 which consists of a group III-V compound semiconductor and a magnetic semiconductor layer 14 which is formed on the substrate, is nearly lattice matched with the substrate and has a crystalline structure of a chalcopyrite type.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、基板にほぼ格子整合し、カルコパイライト型の結晶構造を有する磁性半導体層１４とを有している。 - 特許庁

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles.例文帳に追加

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。 - 特許庁

This semiconductor substrate 100 includes: a base substrate 102 having an impurity region 104 having impurity atoms doped into silicon; a plurality of seed bodies 112 provided in contact with the impurity region 104; and a plurality of compound semiconductors 114 each provided in contact with each of the plurality of seed bodies 112 and each lattice-matched or pseudo-lattice-matched with each of the plurality of seed bodies 112.例文帳に追加

シリコンに不純物原子が導入された不純物領域１０４を有するベース基板１０２と、不純物領域１０４に接して設けられている複数のシード体１１２と、複数のシード体１１２の各々に接して設けられ、複数のシード体１１２の各々とそれぞれ格子整合または擬格子整合する複数の化合物半導体１１４とを備える半導体基板１００。 - 特許庁