| 意味 | 例文 (23件) |
memory twistとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
「memory twist」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 23件
REDUNDANT MEMORY CELL FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING TWIST TYPE BIT LINE ARCHITECTURE例文帳に追加
ツイスト型ビット線アーキテクチャを有するダイナミックランダムアクセスメモリ用冗長メモリセル - 特許庁
At a P4, a memory row below the twist part in the memory cell block is selected to inspect the memory cells.例文帳に追加
Ｐ４ではメモリサブブロック中のツイスト部の下側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁
To provide a method for inspecting a memory device for selecting a memory cell close to the peripheral part and the memory twist part of a memory array.例文帳に追加
メモリアレイの周辺部及びメモリツイスト部に近接したメモリセルを選択するメモリデバイスの検査方法を提供すること。 - 特許庁
In this case, bit lines BL form a line twist in a bit line twist region 8 in a memory cell field 1.例文帳に追加
この場合、メモリセルフィールド１において、ビットラインＢＬがビットラインツイスト領域８内でツイストを形成している。 - 特許庁
To provide an inspection method of an integrated circuit memory which selects a memory cell near the peripheral part of a memory array and a memory twist part.例文帳に追加
メモリアレイの周辺部及びメモリツイスト部に近接したメモリセルを選択する集積回路メモリの検査方法を提供すること。 - 特許庁
At a P5, a memory row above the twist part in the subblock is selected to inspect the memory cells.例文帳に追加
Ｐ５ではサブブロック中のツイスト部の上側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁
A memory row above the twist part in the sub-block is selected and the memory cells are inspected at P5.例文帳に追加
Ｐ５ではサブブロック中のツイスト部の上側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「memory twist」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 23件
A memory row under a twist part in the sub-block is selected and the memory cells are inspected at P4.例文帳に追加
Ｐ４ではメモリサブブロック中のツイスト部の下側のメモリ行が選択されてメモリセルが検査される。 - 特許庁
To prevent occurrences of flexure, twist, deformation, etc of a switch terminal for a memory card connector.例文帳に追加
メモリカードコネクタ用のスイッチ端子の撓み、捻れ、変形等の発生を防止する。 - 特許庁
A memory cell array block in the memory apparatus which is divided basing a twist bitline as reference is addressed in a block address.例文帳に追加
ツイストビットラインを基準に分けられるメモリ装置内のメモリセルアレイブロックがブロックアドレスによりアドレッシングされる。 - 特許庁
REDUNDANCY CIRCUITS OF MEMORY DEVICES HAVING TWIST BITLINE SCHEME AND METHOD OF REPAIRING DEFECTIVE CELL例文帳に追加
ツイストビットライン構造を有するメモリ装置の冗長回路及び不良セルの救済方法 - 特許庁
TWIST ANGLE, CELL GAP AND AZIMUTH ANCHORING MEASURING EQUIPMENT AND METHOD, AND MEMORY MEDIUM STORING PROGRAM例文帳に追加
ツイスト角、セルギャップ及び方位角アンカリング測定装置、測定方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 - 特許庁
To provide a redundancy circuit of a memory apparatus having twist bitline scheme, and a method of repairing defective cells.例文帳に追加
ツイストビットライン構造を有するメモリ装置の冗長回路及び不良セルの救済方法を提供する。 - 特許庁
To provide a DRAM device having twist type bit line architecture in which a redundant row consisting of memory cells can be effectively used when a memory cell row has a defect.例文帳に追加
メモリセル行が欠陥を有する場合にメモリセルからなる冗長行を効果的に使用することが可能なツイスト型ビット線アーキテクチャを有するＤＲＡＭ装置を提供する。 - 特許庁
In a step S29, the CPU 10 determines a minimum successful twist amount Rmin and a maximum successful twist amount Rmax based on the difficulty level stored in an outside main memory 12.例文帳に追加
ステップＳ２９において、ＣＰＵ１０は、外部メインメモリ１２に記憶されている難易度の値に基づいて、成功下限ひねり量Ｒｍｉｎおよび成功上限ひねり量Ｒｍａｘを決定する。 - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (23件) |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
 | 「memory twist」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
