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monocrystal producing methodとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 単結晶生成法
「monocrystal producing method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
PRODUCING METHOD OF CUBIC SYSTEM SILICON CARBIDE MONOCRYSTAL MEMBRANE例文帳に追加
立方晶炭化珪素単結晶薄膜の作製方法 - 特許庁
To provide a method for producing an n-type SiC monocrystal, the method suppressing variations of the nitrogen concentration among a plurality of n-type SiC monocrystal ingots produced.例文帳に追加
製造された複数のn型SiC単結晶インゴット間の窒素濃度のばらつきを抑えることができるn型SiC単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
A method is constituted of a first process producing U3O8 monocrystal and a second process producing UO2 sintered body with large grain by using mixed powder of U3O8 monocrystal and UO2 powder.例文帳に追加
U_3O_8単結晶を製造する第1の工程と、U_3O_8単結晶とUO__2粉末との混合粉末を使用し結晶粒が大きいUO_2焼結体を製造する第2の工程とよりなる。 - 特許庁
To provide a producing method of 3 inch diameter 3C-SiC monocrystal membrane, for growing a crystal of silicon carbide(SiC).例文帳に追加
炭化珪素(SiC)の結晶成長に関し、3インチ径の3C−SiC単結晶薄膜を作製する方法。 - 特許庁
This producing method of semiconductor substrate features that a base body having a monocrystal on the surface is subjected to thermal treatment at a temperature of melting point of the monocrystal or less and in the reductive atomospher.例文帳に追加
表面に単結晶を有する基体を該単結晶の融点以下の温度において還元性雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体基材の製造方法。 - 特許庁
To provide a producing method of semiconductor substrate which is excellent in productivity, uniformity, controllability and cost when the surface of monocrystal is worked in such a manner that the crystallinity and the surface roughness becomes an excellent state as one of monocrystal wafer.例文帳に追加
単結晶表面を結晶性、表面平坦性が単結晶ウエハー並に優れた状態に加工するうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基材の製造方法を提案する。 - 特許庁
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「monocrystal producing method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
To provide a effective production method of silicon carbide powder suitable for producing a silicon carbide monocrystal excellent in electron characteristic with less crystal defects.例文帳に追加
結晶欠陥の数が少なく電子特性が優れた炭化ケイ素単結晶の製造に好適な炭化ケイ素粉末の効率的な製造方法の提供。 - 特許庁
A method of producing the cubic system silicon carbide (3C-SiC) monocrystal using a chemical vapor phase growing method, wherein a raw material gas and carrier gas are supplied from the top of a vertical reactor tube, a silicon substrate is placed vertically to the gas flow so as to supply the gases evenly to both the faces of the substrate.例文帳に追加
化学気相成長法を用いた立方晶炭化珪素(3C−SiC)単結晶薄膜を作製する方法であって、縦型の反応管に上部より原料ガス及びキャリヤーガスを供給し、そのガス流れに対して垂直にSi基板を配置することにより基板全面にガスを供給することを特徴とする方法。 - 特許庁
In this method of producing the optical reflecting surface, wherein the optical reflecting surface consisting of 111 faces is formed on a monocrystal Si substrate with 100 faces, using anisotropic etching, the shape of the etching mask for forming the optical reflecting surface is formed into a circular or polygonal recessed shape comprising segments with angles larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the faces 111 predicted from orientation flat.例文帳に追加
(100)面の単結晶Si基板に異方性エッチングを用いて(111)面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される(111)面の方向に対して1度より大きく44度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。 - 特許庁
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単結晶生成法
JST科学技術用語日英対訳辞書
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