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mos transistorsとは 意味・読み方・使い方
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「mos transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 943件
METHOD FOR FABRICATING HORIZONTAL MOS TRANSISTORS例文帳に追加
横型MOSトランジスタの製造方法 - 特許庁
The pre-charge drive circuits 51-5q are formed in a cross region, and constituted of (n) channel MOS transistors NM1 and (n) channel MOS transistors NM2.例文帳に追加
プリチャージドライブ回路51〜5qは、クロス領域に形成され、nチャネル型のMOSトランジスタNM1と、nチャネル型のMOSトランジスタNM2とで構成されている。 - 特許庁
MOS transistors 1, 11 are PMOS transistors, and a MOS transistor 2 is an NMOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタ1,11はPMOSトランジスタで、MOSトランジスタ2はNMOSトランジスタである。 - 特許庁
On the other hand, the MOS transistors M22, M23 consist of N-type MOS transistors of a triple well structure.例文帳に追加
一方、MOSトランジスタM22,M23は、トリプルウェル構造のN型MOSトランジスタからなる。 - 特許庁
The servo circuit is formed from three MOS transistors 50, 52 and 54.例文帳に追加
サーボ回路は、3つのMOSトランジスタ50、52および54によって形成されている。 - 特許庁
The MOS transistors M1-M3 consist of ordinary P-type MOS transistors, and the MOS transistor M4 consists of an ordinary N-type MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタM1〜M3は通常のP型MOSトランジスタからなり、MOSトランジスタM4は通常のN型MOSトランジスタからなる。 - 特許庁
A sense amplifier precharging circuit SPD is constituted of n type MOS transistors MN20, MN21, MN30, MN31, MN32 and Mn33 and the circuits are formed respectively in cross areas.例文帳に追加
センスアンププリチャージ回路SPDは、nチャネル型のMOSトランジスタMN20,MOSトランジスタMN21,MOSトランジスタMN30,MOSトランジスタMN31,MOSトランジスタMN32,及びMOSトランジスタMN33で構成されており、各々クロス領域に形成されている。 - 特許庁
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「mos transistors」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 943件
To provide a power-on power supply voltage detection circuit that reduces the temperature dependence of a threshold of p-type MOS transistors and variations in the thresholds of the p-type MOS transistors.例文帳に追加
p型MOSトランジスタのしきい値の温度依存性及び、p型MOSトランジスタのしきい値のばらつきを低減するパワーオン電源電位検知回路を提供する。 - 特許庁
The solid-state image pickup device is provided with MOS transistors T2 for every pixel and also MOS transistors T3 for every row.例文帳に追加
各画素毎にMOSトランジスタT2を設けるとともに、各行毎にMOSトランジスタT3を設ける。 - 特許庁
Three adjacent MOS transistors Qk1 to Qk3 are connected to output lines 4-k in parallel, MOS transistors Qk4 to Qk6 are connected to the MOS transistors Qk1 to Qk3 in parallel, and further MOS transistors Qk7 to Qk9 are connected to the MOS transistors Qk4 to Qk6 in parallel.例文帳に追加
出力信号線4−kに、3個の隣接したMOSトランジスタQk1〜Qk3を並列に接続するとともに、このMOSトランジスタQk1〜Qk3にMOSトランジスタQk4〜Qk6を並列に接続し、更に、このMOSトランジスタQk4〜Qk6にMOSトランジスタQk7〜Qk9を並列に接続する。 - 特許庁
The MOS transistors Qk1 to Qk9 which are thus connected constitute load transistors.例文帳に追加
このように接続した、MOSトランジスタQk1〜Qk9によって、負荷トランジスタを構成する。 - 特許庁
The potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC is controlled so as to reduce the leakage current of MOS transistors in a memory cell.例文帳に追加
SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁
The NAND gate 2 comprises Pch MOS transistors P1, P2, and Nch MOS transistors N1, N2.例文帳に追加
NANDゲート2は、Pch MOSトランジスタP1、P2、及びNch MOSトランジスタN1、N2から構成されている。 - 特許庁
The first, second, third and fourth MOS transistors TrA, TrB, TrC and TrD are composed of the MOS transistors of low breakdown voltage.例文帳に追加
これらの第1、第2,第3及び第4のMOSトランジスタTrA,TrB,TrC,TrDは、低耐圧のMOSトランジスタで構成されている。 - 特許庁
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