n siliconとは 意味・読み方・使い方

A Shottky diode 1 comprises an n+ silicon layer 3, n- silicon layer 5, n- silicon layer 11, insulating embedded gate electrodes 7a-7e, and metal layer 9.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、ｎ^+シリコン層３、ｎ^-シリコン層５、ｎ^-シリコン層１１、絶縁埋め込みゲート電極７ａ〜７ｅ及び金属層９を備える。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加

ダイオード４０は、ｎ^+型シリコンカーバイド基板１２上に、ｎ型シリコンカーバイド層１４、ｎ型シリコン層１６、ｐ型シリコン層１８が順に積層された構造をしている。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Ｐシリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介してＮ^+層２の形成されたＮ^-シリコン基板１が設けられている。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁