「n silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The silicon substrate 1 contains n-type impurities.例文帳に追加

シリコン基板１はｎ型の不純物を含む。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

A Shottky diode 1 comprises an n+ silicon layer 3, n- silicon layer 5, n- silicon layer 11, insulating embedded gate electrodes 7a-7e, and metal layer 9.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、ｎ^+シリコン層３、ｎ^-シリコン層５、ｎ^-シリコン層１１、絶縁埋め込みゲート電極７ａ〜７ｅ及び金属層９を備える。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のＳｉ／Ｎ比を層間窒化シリコン膜26のＳｉ／Ｎ比より高くする。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。 - 特許庁

A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加

ダイオード４０は、ｎ^+型シリコンカーバイド基板１２上に、ｎ型シリコンカーバイド層１４、ｎ型シリコン層１６、ｐ型シリコン層１８が順に積層された構造をしている。 - 特許庁

A deep N well 12 of n-type silicon is formed beneath the P well.例文帳に追加

Ｐウェルの下に、ｎ型シリコンの深いＮ型ウェル１２を形成する。 - 特許庁

The active pixel sensor including an N well 14 of n-type silicon and a P well 22 of p-type silicon formed on a p-type silicon substrate 10 is formed in the N well.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０に形成されたｎ型シリコンのＮウェル１４、およびｐ型シリコンのＰウェル２２を含む能動画素センサを、Ｎウェルに形成する。 - 特許庁

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Ｐシリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介してＮ^+層２の形成されたＮ^-シリコン基板１が設けられている。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板４の上にＮ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５が形成され、Ｎ型シリコン−ゲルマニウム混晶層５の上にＮ型シリコン層６が形成され、さらに、Ｎ型シリコン層６内にＰ型シリコン拡散層７が形成される。 - 特許庁

A p-type silicon carbide well region is provided on the n^- silicon carbide layer.例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。 - 特許庁

A sidewall part of the silicon nitride film N is melted to form a pattern N1 on the silicon nitride film N (Fig.7(e)).例文帳に追加

シリコン窒化膜Ｎの側壁部を溶解して、シリコン窒化膜ＮにパターンＮ１を形成する（図７（ｅ））。 - 特許庁

The n^--type gate silicon area 110 and n^+-gate silicon area 111 are etched away to obtain the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 which have been patterned.例文帳に追加

Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１をエッチング除去し、パターニングされたＮ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７を得る。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a trench 13 extending unidirectionally from the upper face side of the n-type silicon layer 12 is formed.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２の上面側から一方向に延びるトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

The MOSFET also has n-type shorting channels extending from respective n-type silicon carbide regions through the p-type silicon carbide regions to the n-type silicon carbide drift layer.例文帳に追加

またＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素領域のそれぞれからｐ型炭化ケイ素領域を通ってｎ型炭化ケイ素ドリフト層まで延びるｎ型短絡チャネルを有する。 - 特許庁

N-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｎ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

A silicon substrate 11 forms an N- type drift region.例文帳に追加

シリコン基板１１はＮ^- 型のドリフト領域を形成する。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 has a boron nitride (B-N) bond.例文帳に追加

前記シリコン窒化膜７は、Ｂ−Ｎ結合を有する。 - 特許庁

METHOD FOR INJECTING DOPANT AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドーパントの注入方法及びＮ型シリコン単結晶 - 特許庁

On the porous n-type region 11n, an n-side electrode 13 is formed, and on the n-side electrode 13, a passivation film 14 made of silicon nitride is formed.例文帳に追加

ｎ側電極１３上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成されている。 - 特許庁

The light-emitting element includes an n-type silicon oxide film 2 and a p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。 - 特許庁

The photosensor has a P type amorphous silicon region, and an N type amorphous silicon region.例文帳に追加

フォトセンサは、Ｐ型アモルファスシリコン領域とＮ型アモルファスシリコン領域とを有する。 - 特許庁

An n-type epitaxial growth layer 2 is formed on an n^+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^+型シリコン基板１上にＮ型エピタキシャル成長層２が形成されている。 - 特許庁

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１の主面７２に対して垂直に設け、高抵抗のｎ^−型シリコン領域３をｎ^＋型シリコン基板１に接続させる。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is composed of n^+ type single crystal silicon.例文帳に追加

半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。 - 特許庁

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、Ｎ型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resistance element 10 has n-type polycrystalline silicon 11 and p-type polycrystalline silicon 12.例文帳に追加

抵抗素子１０は、Ｎ型多結晶シリコン１１と、Ｐ型多結晶シリコン１２とを備える。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 is formed on the upper face of an N^--type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-形シリコン基板１の上面上にはシリコン酸化膜２が形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びＰドープＮ型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁

An n^+ region of silicon carbide is provided on the buried region of p^+ silicon carbide.例文帳に追加

シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。 - 特許庁

An n-conductive carbon nanowall 81 is formed on an n-conductive silicon substrate 80.例文帳に追加

ｎ伝導型シリコン基板８０上に、ｎ伝導型カーボンナノウォール８１を形成した。 - 特許庁

An N-substituted carbamoyloxy group, an N-substituted sulfamoyloxy group or the like is bonded to the silicon.例文帳に追加

シリコンにはＮ−置換カルバモイルオキシ基、Ｎ−置換スルファモイルオキシ基などが結合している。 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

Two trenches 24 are formed so as to pierce a p-type silicon layer 18 and an n-type silicon layer 16, and reach the n-type silicon carbide layer 14.例文帳に追加

二本のトレンチ２４がｐ型シリコン層１８、ｎ型シリコン層１６を突き抜け、ｎ型シリコンカーバイド層１４に到達するように形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on the main surface of an n-type monocrystal silicon substrate 11, and a surface electrode 12 is formed on the n-type amorphous silicon film 22.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成され、ｎ型非晶質シリコン膜２２上に表面電極１２が形成されている。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

Here, the silicon nitride film 12a is located as surrounded by the silicon oxide film 13a, the silicon film 5, n-type diffusing layer 6, and polycrystal silicon film 7a.例文帳に追加

ここで、シリコ窒化膜１２ａは、シリコン酸化膜１３ａと、シリコン膜５、ｎ型拡散層６、及び多結晶シリコン膜７ａとの間に位置する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

An n-type hydrogenated amorphous silicon layer 107 is formed on the reflection electrode side of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106.例文帳に追加

ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側には、さらにｎ型水素化アモルファスシリコン層が形成されている。 - 特許庁

To allow as sharp and smooth carrier concentration profile with no drop in a transition region from an N+ silicon water to an N- silicon wafer.例文帳に追加

Ｎ^＋シリコンウェーハからＮ^−シリコンウェーハへの遷移領域のキャリア濃度プロファイルを、落ち込みがなく急峻かつスムーズにする。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises an N-type material 102 which cools a silicon semiconductor 101 using the current flowing through the silicon semiconductor 101.例文帳に追加

シリコン半導１０１に流れる電流を用いてシリコン半導体１０１を冷却するN型材料１０２を備える。 - 特許庁