「n silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

On an n-type silicon substrate, to which antimony is added as a dopant, having a resistivity which is not lower than 0.04 Ω.cm, an n-type silicon epitaxial layer having a resistivity which is higher than that of the n-type silicon substrate is provided.例文帳に追加

ドーパントとしてアンチモンが添加され抵抗率が０．０４Ω・ｃｍ以上のｎ型シリコン基板上に、該ｎ型シリコン基板よりも高抵抗率のｎ型シリコンエピタキシャル層を有するようにした。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 1 constituted of an N-type silicon layer is formed on a semiconductor retaining substrate 10 constituted of an N-type silicon substrate or a P-type silicon substrate via an insulating layer 11.例文帳に追加

ｎ形シリコン基板若しくはｐ形シリコン基板よりなる半導体支持基板１０上に絶縁層１１を介してｎ形シリコン層よりなるｎ形半導体層１が形成されている。 - 特許庁

The silicon carbide MOSFET has an n-type silicon carbide drift layer, spaced-apart p-type silicon carbide regions existing in the n-type silicon carbide drift layer and having n-type silicon carbide regions therein, and a nitrided oxide layer.例文帳に追加

炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層と、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたｐ型炭化ケイ素領域であって、内部にｎ型炭化ケイ素領域を有するｐ型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。 - 特許庁

Furthermore, the silicon electrode for a battery includes a silicon anode formed of a pillar 2 of silicon of a submicron diameter which is manufactured on an n-type silicon wafer 3.例文帳に追加

さらに電池用シリコン電極は、ｎ型シリコンウエハ３上に作製されたサブミクロン直径のシリコンのピラー２から形成されたシリコンアノードを含む。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

A P-type well layer 52 is arranged on an N-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板５１上に、Ｐ型ウエル層５２が配置される。 - 特許庁

A stripe trench 123 is made in an n silicon substrate 101.例文帳に追加

ｎシリコン基板１０１にストライプ状のトレンチ１２３を形成する。 - 特許庁

An N-type well 2 is formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の表面にＮ型ウェル２を形成する。 - 特許庁

Since heat is transported from the silicon semiconductor 101 side to outside in the N-type material 102, the silicon semiconductor 101 is cooled.例文帳に追加

N型材料１０２では熱がシリコン半導体１０１側から外側に輸送されるため、シリコン半導体１０１が冷却される。 - 特許庁

SEPARATION METHOD OF SILICON DIOXIDE AND N-VINYL-2-PYRROLIDONE POLYMER例文帳に追加

二酸化ケイ素とＮ−ビニル−２−ピロリドン重合物の分離方法 - 特許庁

An n-type amorphous silicon film 6 is formed on the p-type amorphous silicon film 5 and the i-type amorphous silicon film 4.例文帳に追加

次いで、ｐ型非晶質シリコン膜５およびｉ型非晶質シリコン膜４上にｎ型非晶質シリコン膜６を形成する。 - 特許庁

The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加

樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁

Each pixel is a semiconductor island such as N-type silicon on a silicon on insulator (SOI) wafer.例文帳に追加

各ピクセルは、例えば、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）ウェハ上のＮ型シリコンなどの半導体アイランドである。 - 特許庁

A polycrystal silicon film 7a and a silicon nitride film 8 are formed on the n-type diffusion layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリコン窒化膜８を形成する。 - 特許庁

When there are N introducing ports (N≥3), adjacent 2 introducing ports in N introducing ports and the silicon core rod form an angle of ≥240/N° and ≤480/N° in all combination... (3).例文帳に追加

（３）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの互いに隣り合う２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、すべての組み合わせで２４０／Ｎ°以上４８０／Ｎ°以下。 - 特許庁

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁

The silicon oxide external region is formed at the upper part of the n-, separation, and n+ regions.例文帳に追加

シリコン酸化物外枠は、ｎ^−領域、分離領域部、そしてｎ^＋領域部の上方に形成される。 - 特許庁

An N well 12 is formed in a P type silicon substrate 10 and a P well 14 is formed in the N well.例文帳に追加

Ｐ型シリコンの基板１０にＮウェル１２が形成され、ＮウェルにＰウェル１４が形成される。 - 特許庁

An n-type epitaxial film 2 is formed on an n^+ silicon substrate 1 for forming the trench 4 on the film 2.例文帳に追加

ｎ^＋シリコン基板１の上にｎ型エピタキシャル膜２を形成し、この膜２にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

Then, a silicon nitride film 53 is formed on the n^+ dope layer 52.例文帳に追加

次に、当該ｎ^＋型ドープ層５２にシリコン窒化膜５３を形成する。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

SILICON CARBIDE N CHANNEL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

炭化けい素ｎチャネルＭＯＳ半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

A p-type epitaxial layer 11 is formed on a p-type silicon substrate 10, and an n-type epitaxial layer 21 is formed on an n-type silicon substrate 20.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１０上にｐ形エピタキシャルシヤル層１１を、ｎ形シリコン基板２０上にｎ形エピタキシャルシヤル層２１を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁

An N-type epitaxial layer 52 is arranged on a P-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板５１上に、Ｎ型エピタキシャル層５２が配置される。 - 特許庁

The resist film, silicon nitride film N and sacrifice film G are removed (Fig.7(h)).例文帳に追加

レジスト膜、シリコン窒化膜Ｎ及び犠牲膜Ｇを除去する（図７（ｈ））。 - 特許庁

This semiconductor device consists of a P-type silicon substrate 11 and an epitaxial layer 12, which is formed on the silicon substrate 11 and composed of N-type silicon.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン基板１１と、このシリコン基板１１上に形成させたＮ型のシリコンからなるエピタキシャル層１２とからなる。 - 特許庁

(2) If there are N (N≥3) introduction ports, an angle formed by two of the N introduction ports and the silicon core bars is 160 degrees or more.例文帳に追加

（２）Ｎ箇所（Ｎ≧３）である場合、該Ｎ箇所のうちの２箇所の導入口と前記シリコン芯棒とのなす角度が、１６０°以上。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

To amplify and output a photoelectric current resulting from photoconduction by a diode formed at a connection plane of an n-type amorphous silicon film of a low resistance and a thick amorphous silicon film by disposing the n-type amorphous silicon film between the thick amorphous silicon film and an upper electrode.例文帳に追加

厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing higher-purity silicon usable as a raw material of silicon for a solar cell by purification, and a method for purifying p-type silicon and n-type silicon separately.例文帳に追加

太陽電池用シリコンの素材としてより高純度のシリコンを精製し製造すること、およびｐ型、ｎ型シリコンを分別精製するための方法を提案する。 - 特許庁

An SOI substrate 30 is composed by forming an n^-type silicon layer 33 on a silicon oxide film 32 after forming the silicon oxide film 32 on a silicon substrate 31.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０は、シリコン基板３１の上にシリコン酸化膜３２が形成され、このシリコン酸化膜３２の上にＮ^−型シリコン層３３が形成されて構成される。 - 特許庁

The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁

An n--type epitaxial silicon layer 3 for collector is formed on the surface of an n+-type silicon substrate 21 having a crystal plane azimuth of (100), and a silicon oxide layer 4 made by the LOCOS method is formed thereon.例文帳に追加

結晶の面方位が（１００）であるｎ^+ 型シリコン基板２１の表面にコレクタ用ｎ^- 型エピタキシャル・シリコン層３が、その上にロコス法からなるシリコン酸化膜４がある。 - 特許庁

Finally, the n-type single crystal silicon substrate 1 is immersed into liquid HF thus removing the silicon oxide film 10 formed on the rear surface and each end face of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、ｎ型単結晶シリコン基板１を液体ＨＦに浸すことにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に形成された酸化シリコン膜１０を除去する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 21 and an n-type amorphous silicon film 22 are formed on a region except a predetermined width on an outer periphery of a principal plane of an n-type monocrystalline silicon substrate 11.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１１の主面の外周部の所定幅を除く領域にｉ型非晶質シリコン膜２１およびｎ型非晶質シリコン膜２２が形成されている。 - 特許庁

When viewed from the upper face side of the N^- type silicon substrate 1, the P-type isolation region 2 is formed to surround N^- region 1a, which is a part of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

また、Ｎ^-型シリコン基板１の上面側から眺めた場合、Ｐ型分離領域２は、Ｎ^-型シリコン基板１の一部分であるＮ^-領域１ａを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 2 including phosphorous, which functions as n-type impurity on silicon, is formed on an n-type conductive silicon semiconductor substrate where n-type impurity is doped.例文帳に追加

ｎ形不純物がドープされた導電性を有するｎ形シリコン半導体基板１の上にシリコンに対してｎ形不純物として機能するリンを含むバッファ層２を設ける。 - 特許庁

An N-type polycrystal silicon film 12 having T-shape is disposed on the N-type epitaxial layer 11 and N-type polycrystal silicon film 8 so as to cover the emitter aperture 19.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層１１及びＮ型多結晶シリコン膜８上には、エミッタ開口部１９を覆うようにＴ型形状を有するＮ型多結晶シリコン膜１２が設けられる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

On a P-type silicon substrate 2 are laminated a box layer 3 consisting of silicon oxide, an N^+ type lateral direction conductive layer 4 and an N^- type surface layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２上には、酸化シリコンからなるボックス層３、Ｎ^＋型横方向導電層４およびＮ^−型表面層５が積層されている。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

Barrier height of the silicide 26 formed in the NMIS region 130 and n-type silicon is lower than the barrier height of Ni silicide and the n-type silicon.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域１３０において形成されるシリサイド２６とＮ型シリコンとのバリアハイトはＮｉシリサイドとＮ型シリコンとのバリアハイトより低い。 - 特許庁

An N^+-type impurity doped region 4 is formed in the upper face 3 of the N^--type silicon substrate 1 in the portion exposing itself from the silicon oxide film 2.例文帳に追加

シリコン酸化膜２から露出している部分のＮ^-形シリコン基板１の上面３内には、Ｎ^+形不純物導入領域４が形成されている。 - 特許庁