Where a refractive index of the low reflectivity film is n1 and a refractive index of the amorphous silicon film is n2, a relation of n1<n2 is preferably satisfied in laser wavelength.例文帳に追加

低反射率膜の屈折率をｎ１とし、非晶質シリコン膜の屈折率をｎ２としたとき、レーザー波長において、ｎ１＜ｎ２の関係を満たすことが好ましい。 - 特許庁

In this case, it is desirable that the wavelength of the laser beam is set to 0.5-1.5 μm and that N2 gas is used as shielding gases for welding.例文帳に追加

その際、レーザー光の波長を０．５〜１．５μｍとし、シールドガスとしてＮ_2 ガスを用いることが好ましい。 - 特許庁

An amorphous semiconductor film, the first material, and the second material are stacked in this order for irradiation with the laser beam from one side of a substrate, where the refractive index of the first material is n1, the refractive index of the second material is n2, and n1<n2 is met.例文帳に追加

また第１の材料の屈折率をｎ１、第２の材料の屈折率をｎ２とし、ｎ１＜ｎ２を満たす場合、基板の一方の面からレーザー光照射を行う場合、非晶質半導体膜、第１の材料、第２の材料の順に積層する。 - 特許庁

A low-reflection film 10 is so formed out of dielectric films 11, 12, 13, 14 having respectively their refractive indexes n1, n2, n3, n4 and so formed in this order from the side of the film 11 contacting with a laser chip that their refractive indexes n1-n4 satisfy the relation of n2=n4≤n1≤n3.例文帳に追加

低反射膜１０は、レーザチップに接する側から順に、屈折率ｎ１の誘電体膜１１、屈折率ｎ２の誘電体膜１２、屈折率ｎ３の誘電体膜１３、屈折率ｎ４の誘電体膜１４で形成され、屈折率ｎ１〜ｎ４は、ｎ２＝ｎ４≦ｎ１≦ｎ３の関係を満たす。 - 特許庁

Then, there is a relation that the number n1 (3 pieces) of the red semiconductor laser elements 10 is larger than the number n2 (2 pieces) of the green semiconductor laser elements 30.例文帳に追加

そして、赤色半導体レーザ素子１０の個数ｎ１（３個）が、緑色半導体レーザ素子３０の個数ｎ２（２個）よりも多い関係を有している。 - 特許庁

The semiconductor laser stack 1 includes a first notch N1 and a second notch N2 (both the ends of a detecting reference) formed at both the end sides of the emitter E of the end face of an active layer including the emitter (light emitting part) E.例文帳に追加

半導体レーザスタック１は、エミッタ（発光部）Ｅを含む活性層の端面のうちのそれぞれのエミッタＥの両端側に第１ノッチＮ１及び第２ノッチＮ２（検出基準両端部）を形成している。 - 特許庁

During continuous pulse oscillation operation for making a discharge applied voltage between discharge electrodes fixed, if impurities are mixed inside a laser chamber, an output energy (a) of laser beam lowers to a prescribed level (a2) to a reference level (a1) as of pulse oscillation of a prescribed pulse number (n2) after continuous pulse oscillation operation is started.例文帳に追加

放電電極間への放電印加電圧が一定となるように連続パルス発振運転をした場合には、レーザチャンバ内に不純物が混入すると、連続パルス発振運転が開始されてから所定パルス数ｎ2のパルス発振がなされた時点でレーザ光の出力エネルギーａが基準レベルａ1に対して所定レベルａ2に低下する。 - 特許庁