nano dotとは 意味・読み方・使い方

MEMORY DEVICE UTILIZING NANO-DOT AS TRAP SITE, AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

ナノドットをトラップサイトとして利用したメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The metallic nano dot is carried on the apex 3a of the structure body 3, and the semiconductor nano thin line 6 having the metallic nano dot 4 on its end is grown by a gas phase-liquid phase-solid phase growing method.例文帳に追加

構造体３の頂点３ａに金属ナノドットを担持し、気相−液相−固相成長法により、先端に金属ナノドット４を有する半導体ナノ細線６を成長する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element comprising a nano dot and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ナノドットを具備する不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The structure of obtained nano structural body forms a quantum dot, a double bond quantum dot, a quadruple bond quantum dot, a single quantum ring and concentric double quantum rings, for examples.例文帳に追加

得られるナノ構造体の構造は、たとえば量子ドット、二重結合量子ドット、四重結合量子ドット、単一量子リング、同心二重量子リングとなる。 - 特許庁

The quantum semiconductor device comprises a first quantum dot (13), a semiconductor crystal layer (15) which covers the first quantum dot, a nano hole (16) positioned directly above the first quantum dot in the semiconductor crystal layer, and a second quantum dot (18) positioned above the nano hole.例文帳に追加

量子半導体デバイスは、第１の量子ドット（１３）と、前記第１の量子ドットを覆う半導体結晶層（１５）と、前記半導体結晶層において前記第１の量子ドットの直上に位置するナノホール（１６）と、前記ナノホール上に位置する第２の量子ドット（１８）を有する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor dot forming material which can form an organic semiconductor dot of low molecule readily in a short time in a nano scale and can adjust its dot size, an organic semiconductor dot structure body, and a forming method of the organic semiconductor dot.例文帳に追加

簡単かつ短時間で低分子の有機半導体ドットをナノスケールで作製することができるとともに、そのドットサイズを調節し得る有機半導体ドット作製材料、有機半導体ドット構造体および有機半導体ドットの作製方法を提供する。 - 特許庁

LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLAR CELL CONTAINING LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

シリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体及びその製造方法、並びにそのシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体含む太陽電池、不揮発メモリ素子、感光素子とその製造方法 - 特許庁

To manufacture a nano wire formed of a semiconductor material and a metallic material with a diameter of 1 to 10 nm and a length of 50 nm or longer or a nano dot with a diameter of 10 nm or smaller by utilizing the electrode reaction of a nano chip.例文帳に追加

本発明は、従来不可能であった直径が1〜10nm、長さが50nm以上の半導体材料及び金属材料からなるナノワイヤ−もしくは、直径10nm以下のナノドットの作製をナノチップの電極反応を利用して可能とすることを目的とする。 - 特許庁